УДК 539.216+539.231 О СТРУКТУРЕ ОСАЖДАЕМЫХ НАНОПЛЕНОК ZN-S НА ПОДЛОЖКАХ ОКСИДА АЛЮМИНИЯ 1,2ВАХРУШЕВ А. <...> В работе проводилось исследование структуры нанопленочных покрытий и подложек при эпитаксиальном осаждении. <...> Теоретические исследования осуществлялись методом молекулярной динамики (потенциал Леннарда-Джонса). <...> Заращивание подложки осуществлялось равномерным напылением атомов по нормали по отношению к подложке. <...> В качестве осаждаемых атомов рассматривались атомы цинка и серы, в некоторых случаях производилось добавление атомов меди долей 5 %. <...> Для проведения теоретических исследований использовался пакет программ для параллельных вычислительных процессов LAMMPS. <...> В работе рассмотрен анализ структуры как подложки из оксида алюминия (пористой и сплошной), так и осаждаемых атомов цинка, серы, меди. <...> Пористый анодный оксид алюминия (АОА), благодаря гексагонально-упорядоченному расположению вертикально-ориентированных к поверхности пленки пор, нашел широкое применение в качестве темплатов для синтеза наноструктур различного вида: нанопроволок, наноточек, наноколец, нанотрубок и других [6, 7]. <...> Также АОА может быть с успехом использован в качестве носителей каталитически активных наночастиц [8, 9] и наноструктур полупроводников [10, 11]. <...> Когерентное сложение излучения от всех источников приведет к существенному увеличению интенсивности света [12]. <...> В случае ЭЛИ, сформированных в виде нанокомпозитов типа полупроводник/диэлектрическая матрица, толщина темплата также играет большую роль, поскольку осаждаемый материал проникает в поры матрицы на глубину до 10 мкм. <...> Отметим, что большое разнообразие задач в области формирования нанопленок и различных наноструктур, обуславливает активное применение методов математического моделирования наносистем [14 – 23]. <...> Целью работы является исследование структуры нанопленочных покрытий и подложек при эпитаксиальном осаждении методами моделирования. <...> В общем случае, атомарная <...>