ФИЗИКА УДК 538.91 ИЗМЕРЕНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРОВОДИМОСТИ ПОВЕРХНОСТНЫХ ФАЗ AL / SI(100) И. А. Белоус Владивостокский государственный университет экономики и сервиса Поступила в редакцию 02.07.2016 г. Аннотация. <...> Описаны процессы реструктуризации поверхности подложки кремния (100) при адсорбции субмонослойных покрытий атомарно чистого алюминия для двух, возможных, моделей расположения димеров поверхностной фазы Si(100)2Ч2-Al. <...> Показана корреляция между изменением поверхностной проводимости подложки кремния (100), реструктуризацией поверхности и изменением электронной структуры для различных поверхностных фаз алюминий-кремний (100). <...> Показано, что электрическая проводимость подложек кремния с поверхностными фазами кремний-адсорбат может отличаться от проводимости поверхностных фаз чистого кремния. <...> Ключевые слова: поверхностная проводимость, поверхностные фазы, адсорбция, субмонослойные покрытия, поверхностные фазы алюминия. <...> MEASUREMENT OF ELECTRICAL CONDUCTIVITY OF SURFACE PHASES IN AL/SI(100) I. <...> Describes the processes of restructuring of the silicon substrate (100) with adsorption of submonolayer coverages of atomically clean aluminum for two possible models of the location of the dimers of the surface phase Si(100)2Ч2-Al. <...> Shows the correlation between the change in surface conductivity of the substrate silicon (100), restructuring of the surface and changes in the electronic structure for various surface phases of the aluminium-silicon (100). <...> It is shown that the electrical conductivity of the substrate silicon with the surface phases of silicon-adsorbate may differ from the conductivity of the surface phases of pure silicon. <...> ВВЕДЕНИЕ Исследования упорядоченных поверхностных фаз (ПФ), сформированных на атомарночистой поверхности полупроводников, проводятся уже давно [1]. <...> С использованием таких методов изучения поверхности, как дифракция медленных электронов (ДМЭ), ультрафиолетовая фотоэлектронная спектроскопия (УФЭС), рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия (РФЭС) и др., в том числе и самый современный — сканирующая туннельная микроскопия (СТМ), уже проведено значительное количество исследований <...>