УДК 539.23:546.681’19:542.9 МОДИФИЦИРОВАНИЕ ПОВЕРХНОСТИ СФОРМИРОВАННЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР VXOY/AIII Е. В. <...> Томина, Б. В. Сладкопевцев, Л. С. Зеленина, И. Я. Миттова, Д. И. Пелипенко ПОЛУПРОВОДНИКОВ AIII СЛОЕМ ГЕЛЯ V2 O5 BV Воронежский государственный университет Поступила в редакцию 17.04.2015 г. котором отсутствует взаимодействие между слоем хемостимулятора и компонентами подложки до начала термооксидирования. <...> Цель работы заключалась в установлении закономерностей термооксидирования гетероструктур Vx изменяет кинетику и механизм процесса, а, следовательно, состав и свойства формируемых плёнок. <...> Модифицирование поверхности полупроводника оксидами переходных металлов O5 для InP и 77 кДж/моль для GaAs) свидетельствуют о реализации транзитного механизма процесса. <...> Отсутствие в пленках после оксидирования V2 поверхность полупроводника. <...> Рассчитанные с применением данных лазерной эллипсометрии значения эффективных энергий активации оксидирования гетероструктур Vx Oy/AIII , синтезированных нанесением геля V2 Oy/AIII хемостимулятора, поскольку необходимый для протекания катализа цикл регенерации V+5 O5 O5 BV из аэрозоля на (210 кДж/моль подтверждает транзитный характер действия ↔ V+4 не осуществляется. <...> Согласно данным атомно-силовой микроскопии максимальная высота рельефа образцов после оксидирования увеличивается, а средняя шероховатость поверхности уменьшается. <...> Ключевые слова: термическое оксидирование, хемостимулятор, катализ, транзит, оксид ванадия (V), арсенид галлия, фосфид индия. <...> Deposition of V2 BV tures synthesized by the deposition of V2 action because regeneration cycle V+5 and 77 kJ/mol for GaAs) calculated using data of laser ellipsometry indicating that the transit mechanism is realized. <...> BV BV на поверхность GaAs является мягким методом модифицирования, при BV НАНОРАЗМЕРНЫМ И ТЕРМООКСИДИРОВАНИЕ the layer of chemostimulator and the components of semiconductor substrate before the thermal oxidation. <...> The purpose of this research is establish the regularities of thermal oxidation of Vx gel on the GaAs surface is a soft method of modifying, because there is no interaction between Oy/AIII heterostrucheterostructures oxidation <...>