Естественные и технические науки, № 2, 2013 Физика Физика полупроводников Алтухов В.И., доктор физико-математических наук, профессор СевероКавказского федерального университета Билалов Б.А., доктор физико-математических наук, профессор Дагестанского государственного технического университета Касьяненко И.С., аспирант Санкин А.В., кандидат филологических наук, доцент (Северо-Кавказский федеральный университет) МОДЕЛИРОВАНИЕ И РАСЧЕТ БАРЬЕРА ШОТТКИ И ВОЛЬТ-АМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ВЫСОКОВОЛЬТНЫХ N-M/P-SIC:ALN-ДИОДОВ В работе развита простая, но нелинейная по концентрации дефектов модель контакта металлполупроводник. <...> Показано, что учет нелинейной зависимости уровня Ферми ЕF от концентрации дефектов ведет к повышению барьера Шоттки на 15-25%. <...> Для выращивания высоковольтных гетероструктур на основе карбида кремния предлагается способ индукционного нагрева с алгоритмом системы управления технологическими режимами. <...> Ключевые слова: барьер Шоттки, вольт-амперные характеристики, высота барьера Шоттки, контакт металл-полупроводник. <...> MODELING OF A BARRIER OF SCHOTTKY AND VOLT-AMPERE CHARACTERISTICS OF HIGH-VOLTAGE N-M/P-SIC:ALN-DIODES In work the contact model metal semiconductor is developed simple, but nonlinear on concentration of defects. <...> It is shown that the accounting of nonlinear dependence of level of Fermi of EF from concentration of defects conducts to increase of a barrier of Schottky for 15-25%. <...> Keywords: Schottky's barrier, volt-ampere characteristics, height of a barrier of Schottky, contact metal semiconductor. <...> Высота потенциального барьера Шоттки ΦB на контакте металл-полупроводник является важнейшим параметром диодов Шоттки, полевых транзисторов и других элементов (приборов) силовой электроники с поверхностно-барьерными структурами на основе карбида кремния и его твердых растворов [1, 2]. <...> В том числе это структуры металл (М: Ni, Al, Mo, Au) – твердый раствор карбида кремния (SiC:AlN), в частности n-Al/p−(SiC)1−xAlNx. <...> Расчет высоты барьера ΦB для Al/n−(SiC)1−xAlNx по обобщенной теории Бардина и Шоттки-Мотта [3] не дал надежного согласия с экспериментами в области малых <...>