Сравнительный анализ вольт-амперных
характеристик германиевых и кремниевых диодов ...........................75
Лабораторная работа № 3. <...> В первом разделе изложены физические принципы образования и работы p-n–перехода и приборов на его основе (полупроводниковый диод, фотоэлемент). <...> Электронно-дырочный переход
Принцип действия большинства полупроводниковых приборов основан на физических явлениях, происходящих в области
контакта твердых тел. <...> Если контакт создается между полупроводниками n-типа и
p-типа, то переходной слой между ними называют электроннодырочным, или p-n–переходом. <...> Образование электронно-дырочного перехода
При идеальном контакте двух полупроводников с различным типом электропроводности из-за градиента концентрации носителей заряда возникает их диффузия в области с противоположным типом электропроводности через плоскость металлургического
контакта (плоскость, где изменяется тип примесей, преобладающих
в полупроводнике). <...> Образуется область объемного заряда, состоящая из двух разноименно заряженных слоев, обедненная свободными носителями заряда. <...> Возникшее диффузионное элек7
трическое поле препятствует диффузии основных носителей через
металлургический контакт, что ведет к уменьшению диффузионного тока основных носителей вплоть до установления равновесного состояния, в котором этот ток становится равным дрейфовому
току неосновных носителей. <...> За пределами области объемного
заряда полупроводниковые области n- и p-типа остаются электрически нейтральными.
а
б
в
Рис. <...> Пространственное распределение зарядов:
а – внешнее напряжение отсутствует (U = 0); б – внешнее напряжение
прямое (U > 0); в – внешнее напряжение обратное (U < 0)
Таким образом, электронно-дырочный переход (p-n–переход)
– это переходный слой между двумя областями полупроводника
p- и n-типа проводимости, в котором существует диффузионное
электрическое поле и который обеднен свободными носителями
заряда. <...> Величина этого сдвига <...>