Естественные и технические науки, № 1, 2014 Физика и технология наноструктур, атомная и молекулярная физика Расулов В.Р., Расулов Р.Я., доктор физико-математических наук, профессор Камбаров Д., кандидат физико-математических наук, доцент Каримова Г. (Ферганский государственный университет, Узбекистан) ВОЛНОВАЯ ФУНКЦИЯ И ВРЕМЯ РЕЛАКСАЦИИ ИМПУЛЬСА ЭЛЕКТРОНОВ В РАЗМЕРНО-КВАНТОВАННОЙ СТРУКТУРЕ ПРИ ИХ РАССЕЯНИИ НА АКУСТИЧЕСКИХ ФОНОНАХ Получено выражение для времени релаксации электронов по импульсу в квантовой яме, где учтено упругое рассеяние электронов на акустических фононах в приближении простой зоны. <...> Предполагается, что фононный спектр в структуре не отличается от объемного. <...> Произведено сравнение времена релаксации импульса двух и трехмерных электронов и показано, что учет значение времени релаксации в двумерном случае контролируется параметрами структуры. <...> WAVE FUNCTION AND RELAXATION TIME OF ELECTRONS IN DIMENSIONALLY QUANTUM STRUCTURE AT THEIR SCATTERING ON ACOUSTIC PHONONS The relaxation time of electron were calculated considering elastic scattering electrons on acoustic phonons in approach of the isotropic parabolic law of a carriers dispersion by the impulse in quantum well. <...> It is supposed, that the phonons spectrum in structure does not differ from the volume. <...> Comparison times of a relaxation of an impulse of two and three-dimensional electrons made and shown, that the account value of time of a relaxation in a two -dimensional case is supervised by structure parameters. <...> Keywords: relaxation time, electron, quantum well, phonon, the quantum – dimensional effect, a two dimensional gas. <...> Исследование полупроводниковых структур с квантовой ямой интересно из-за возможности их использования в наноэлектронике. <...> В [1] теоретически показано, что в 2–3 и более раз увеличивается термоэлектрическая добротность структуры, если у нее размерное квантование, анализу которой посвящены [1], где предполагаются, что размерное квантование не влияют на подвижности электронов вдоль интерфейса структуры. <...> В [2] учитывается это влияние, где считают, что электроны находятся вблизи дна <...>