Научно-технический журнал УДК 621.382.037.37 С.И. МАТЮХИН, А.А. ПИСАРЕВ, А.В. СТАВЦЕВ КОМПЬЮТЕРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ, СВЯЗАННЫХ С ВЛИЯНИЕМ МИКРОТРЕЩИН НА ВОЛЬТАМПЕРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ Методами компьютерного моделирования в пакете программ Sentaurus TCAD фирмы Synopsys исследовано влияние микротрещин на вольтамперные характеристики (ВАХ) кремниевых полупроводниковых диодов. <...> ВВЕДЕНИЕ При производстве полупроводниковых приборов в результате проведения ряда технологических операций в полупроводниковой пластине приборов могут возникать различные микродефекты [1,2], способные оказывать заметное влияние на характеристики готовой продукции. <...> Поэтому к важным задачам современной физики полупроводниковых приборов следует отнести задачу о качественном и количественном влиянии микродефектов на характеристики приборов и разработку методов прогнозирования надежности этих приборов с целью выявления потенциально ненадежных изделий на ранней стадии изготовления. <...> В силу этого на передний план выдвигаются компьютерные методы исследования, основанные на имитационном моделировании полупроводниковых приборов с использованием современных специализированных программных пакетов приборно-технологического моделирования (TCAD). <...> Одним из таких пакетов является пакет программ Sentaurus TCAD компании Synopsys. <...> Он позволяет моделировать все основные процессы твердотельной электроники, объединять их в технологические маршруты, получать в результате произвольные приборные структуры и анализировать их электрофизические и схемотехнические характеристики и параметры. <...> Фактически этот пакет на практике реализует концепцию виртуального производства и позволяет существенно сократить расходы на проектирование и разработку технологических маршрутов изготовления полупроводниковых приборов. <...> Кроме того, программы этого пакета позволяют исследовать физические явления и процессы, протекающие <...>