Научно-технический журнал УДК 004.942 И.А. ДАНИЛОВ, М.С. ГОРБУНОВ, Г.И. ЗЕБРЕВ, П.Н. ОСИПЕНКО, А.А. ИВЛЕВ РАЗРАБОТКА ПРОГРАММНЫХ СРЕДСТВ МОДЕЛИРОВАНИЯ ИМС С ПОВЫШЕННОЙ СТОЙКОСТЬЮ К ВНЕШНИМ ВОЗДЕЙСТВУЮЩИМ ФАКТОРАМ КОСМИЧЕСКОГО ПРОСТРАНСТВА Рассмотрены основные проблемы разработки программных средств моделирования характеристик интегральных микросхем (ИМС), предназначенных для функционирования в условиях воздействия ионизирующего излучения (ИИ) космического пространства. <...> Представлены методы схемотехнического моделирования дозовых эффектов и эффектов от тяжелых заряженных частиц космического пространства, основанные на использовании языка описания аппаратуры Verilog-A. <...> Ключевые слова: программные средства; моделирование; радиационная стойкость; ИМС для космических применений; Verilog-A; КМОП; одиночные сбои; тяжелые заряженные частицы; эффекты полной дозы. <...> Существуют технологические и конструктивно-топологические методы повышения стойкости ИМС к радиационным эффектам. <...> Технологические методы предполагают внесение изменений в техпроцесс, а конструктивно-топологические методы позволяют повысить радиационную стойкость в рамках существующей коммерческой технологии. <...> Физический уровень моделирования описывает процессы деградации в материалах, структурах и приборах, поставляя выходные данные, которые могут использоваться как входные параметры для схемотехнического моделирования с использованием стандартных систем автоматического проектирования (САПР). <...> Кроме того, при проектировании радиационно-стойких ИМС разработчику требуется удобный инструмент, встроенный в стандартный маршрут проектирования и совместимый со стандартными коммерческими средствами САПР. <...> ОСНОВНЫЕ РАДИАЦИОННЫЕ ЭФФЕКТЫ В ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМАХ Можно выделить несколько основных дозовых эффектов, характерных для современных КМОП технологий [1,2]: радиационно-индуцированные токи утечки, сдвиг порогового напряжения <...>