Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 634942)
Контекстум
Руконтекст антиплагиат система
Информационные системы и технологии  / №3 2014

ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ ИНФОРМАЦИОННО-ДИАГНОСТИЧЕСКОГО КОМПЛЕКСА «СПЕКТР-ИДК» (90,00 руб.)

0   0
Первый авторСиора
Страниц6
ID486642
АннотацияРассмотрен вопрос проектирования и разработки программного обеспечения информационно-диагностического комплекса для определения концентрации фоновых примесей в полупроводниковом кремнии. Представлена структурная схема аппаратной составляющей измерительного комплекса, определены ее функциональные части и управляющие узлы. Разработана двухуровневая архитектура программного обеспечения и соответствующая компьютерная программа верхнего уровня для управления комплексом «Спектр-ИДК»
УДК004.454, 621.3.078.4
Сиора, А.С. ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ ИНФОРМАЦИОННО-ДИАГНОСТИЧЕСКОГО КОМПЛЕКСА «СПЕКТР-ИДК» / А.С. Сиора // Информационные системы и технологии .— 2014 .— №3 .— С. 86-91 .— URL: https://rucont.ru/efd/486642 (дата обращения: 02.05.2024)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

Научно-технический журнал МАТЕМАТИЧЕСКОЕ И ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ ВЫЧИСЛИТЕЛЬНОЙ ТЕХНИКИ И АВТОМАТИЗИРОВАННЫХ СИСТЕМ УДК 004.454, 621.3.078.4 А.С. СИОРА ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ ИНФОРМАЦИОННО-ДИАГНОСТИЧЕСКОГО КОМПЛЕКСА «СПЕКТР-ИДК» Рассмотрен вопрос проектирования и разработки программного обеспечения информационно-диагностического комплекса для определения концентрации фоновых примесей в полупроводниковом кремнии. <...> Представлена структурная схема аппаратной составляющей измерительного комплекса, определены ее функциональные части и управляющие узлы. <...> Разработана двухуровневая архитектура программного обеспечения и соответствующая компьютерная программа верхнего уровня для управления комплексом «Спектр-ИДК». <...> ВВЕДЕНИЕ На сегодня полупроводниковый кремний остается основным материалом микроэлектроники, силовой преобразовательной техники и производства фотоэлектрических преобразователей. <...> Больше 80% монокристаллов кремния получают при выращивании по методу Чохральского (Cz-Si), во время которого кремний загрязняется фоновыми примесями (атомами кислорода и углерода), значительно ухудшающими его структурные и электрофизические параметры. <...> Для измерения концентрации фоновых примесей в полупроводниковом кремнии используют один образец, вырезанный из нижней части слитка. <...> В тех случаях, когда необходимо оценить радиальное распределение примеси, измеряют концентрацию в трех положениях: в центре пластины и на ее краях. <...> Для исследовательских задач, которые возникают при отработке новых технологических процессов, например, выращивании слитков «солнечного поликремния» из раствора-расплава легкоплавкого металла, эти модели не позволяют получить достаточную информацию о распределении фоновой примеси по поперечному сечению слитка. <...> В работах [1, 2] был разработан информационно-диагностический комплекс «СпектрИДК», который позволяет исследовать концентрацию примесей углерода и кислорода <...>