Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 634840)
Контекстум
Руконтекст антиплагиат система
Фундаментальные и прикладные проблемы техники и технологии  / №1 2012

ЭЛЕКТРОННЫЕ ЯВЛЕНИЯ В НАНОГЕТЕРОГЕННОЙ СТРУКТУРЕ, СОДЕРЖАЩЕЙ КВАНТОВЫЕ АНТИТОЧКИ (90,00 руб.)

0   0
Первый авторКоростелёв
АвторыХарламов В.Ф.
Страниц6
ID483634
АннотацияИсследованы электрические свойства структуры, состоящей из двух плоских электродов и шарообразных наночастиц металлов Cu или Ni в виде монослоя между ними при наличии полупроводниковых структур (квантовых антиточек), расположенных в области контактов наночастиц с электродами. Установлено значительное влияние поверхностных электронных состояний квантовых антиточек на их электропроводность.
УДК537.311.322
Коростелёв, Д.А. ЭЛЕКТРОННЫЕ ЯВЛЕНИЯ В НАНОГЕТЕРОГЕННОЙ СТРУКТУРЕ, СОДЕРЖАЩЕЙ КВАНТОВЫЕ АНТИТОЧКИ / Д.А. Коростелёв, В.Ф. Харламов // Фундаментальные и прикладные проблемы техники и технологии .— 2012 .— №1 .— С. 18-23 .— URL: https://rucont.ru/efd/483634 (дата обращения: 26.04.2024)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

Естественные науки УДК 537.311.322 Д.А. КОРОСТЕЛЁВ, В.Ф. ХАРЛАМОВ ЭЛЕКТРОННЫЕ ЯВЛЕНИЯ В НАНОГЕТЕРОГЕННОЙ СТРУКТУРЕ, СОДЕРЖАЩЕЙ КВАНТОВЫЕ АНТИТОЧКИ Исследованы электрические свойства структуры, состоящей из двух плоских электродов и шарообразных наночастиц металлов Cu или Ni в виде монослоя между ними при наличии полупроводниковых структур (квантовых антиточек), расположенных в области контактов наночастиц с электродами. <...> Установлено значительное влияние поверхностных электронных состояний квантовых антиточек на их электропроводность. <...> В случае высокой проводимости антиточек увеличение электрического напряжения приводит к насыщению тока. <...> В случае их меньшей проводимости при увеличении электрического напряжения электрическое сопротивление структуры скачком увеличивается в 104 раз (обратимо). <...> Ключевые слова: наногетерогенная структура; квантовая антиточка; трехмерный потенциальный барьер; отрицательное дифференциальное сопротивление; «точечный» контакт шарообразных частиц; двойная инжекция электронов и дырок. <...> В магнитном поле вокруг структуры нанометровых размеров, образующей трехмерный потенциальный барьер для электронов («квантовой антиточки»), возникают дискретные электронные состояния, что используют в квантовых интерферометрах [9,10]. <...> Известны теоретические и экспериментальные работы, посвященные изучению механизмов электропроводности наногетерогенных структур (см., например, [3, 4, 7, 11]). <...> Цель настоящей работы состояла в изучении механизма электропроводности наногетерогенной структуры (НГС), состоящей из двух плоских электродов и шарообразных частиц металла диаметром ~100 нм в виде монослоя между ними при наличии квантовых антиточек, расположенных в области «точечных» контактов шарообразных наночастиц с электродами. <...> Метод создания квантовых антиточек основан на эффекте распыления оксидов металлов атомарным водородом [2, 6, 8]. <...> Он заключается в выдержке НГС в среде атомов Н <...>