Естественные науки УДК 535:621.373.8; 535:621.375.8 С.И. МАТЮХИН, З.Ж. КОЗИЛ, Г.Р. МАГОМЕДОВ, Д.О. МАЛЫЙ, С.Н. РОМАШИН ЗАВИСИМОСТЬ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДГС РО ЛАЗЕРА НА ОСНОВЕ AlGaAs ОТ КОНЦЕНТРАЦИИ АЛЮМИНИЯ В ОБЛАСТИ ВОЛНОВОДА И ЭМИТТЕРОВ Методами компьютерного моделирования в пакете программ Sentaurus TCAD компании Synopsys исследовано влияние концентрации алюминия в волноводной и эмиттерных областях полупроводникового AlGaAs лазера с двойной гетероструктурой и раздельным ограничением (ДГС РО) на его вольтамперную и ватт-амперную характеристики. <...> Изучена зависимость от содержания алюминия в этих областях коэффициента полезного действия (КПД) лазерного диода и вертикальной расходимости лазерного излучения в области дальнего поля. <...> Показано, что существуют оптимальные концентрации алюминия в волноводе и эмиттерах, при которых пороговый ток лазерной генерации будет минимальным, а КПД лазера – максимальным. <...> Ключевые слова: полупроводниковый лазер на основе AlGaAs; двойная гетероструктура; раздельное ограничение; концентрация алюминия; вольтамперная характеристика; ватт-амперная характеристика; коэффициент полезного действия; компьютерное моделирование; Sentaurus TCAD. <...> 1 ВВЕДЕНИЕ В настоящее время полупроводниковые лазеры находят применение в устройствах чтения и записи компакт-дисков (CD, DVD), телекоммуникации, в системах прецизионного измерения перемещений и спектроскопии высокого разрешения, для накачки твердотельных лазеров, а также в областях, связанных с обработкой материалов (резка, микросварка), и в медицине (лазерная хирургия, дерматология). <...> При этом, начиная с 1990 г., практически все промышленные образцы полупроводниковых лазеров, по сути, являются инжекционными лазерами с двойной гетероструктурой и раздельным ограничением (ДГС РО) с квантоворазмерной активной областью [1, 2]. <...> Благодаря относительной простоте и отработанности технологии изготовления наибольшее распространение получили ДГС РО лазеры <...>