Прикладная физика, 2016, № 4 ФОТОЭЛЕКТРОНИКА УДК 621.383.4/5 Влияние непрямых переходов на оптические характеристики гетероэпитаксиальных слоев соединений A3B5 А. В. Никонов, Н. И. Яковлева Проведена оценка влияния непрямых Г-L и Г-Х переходов в зоне Бриллюэна на оптические и электрофизические характеристики гетероэпитаксиальных слоев соединений А3В5 на примере тройных (InGaAs) и четверных (InGaAsP) соединений. <...> Установлено, что с учетом непрямых переходов показатель преломления полупроводниковых соединений уменьшается на величину до 15 % в узком диапазоне длин волн 0,4—0,6 мкм. <...> Ci Ключевые слова: зона Бриллюэна, соединения А3В5, индий-галлий-арсенид, непрямые переходы, диэлектрическая проницаемость, показатель преломления. <...> Введение Для создания нового поколения лавинных фотодиодов ближнего ИК-диапазона в настоящее время активно используются гетероэпитаксиальные структуры на основе соединений группы А3В5 [1, 2]. <...> Частным случаем является применение гетероэпитаксиальных структур на основе четверных соединений InGaAsP, выращенных на подложках фосфида индия. <...> Для определения характеристик лавинных фотодиодов актуальной задачей является контроль параметров исходных гетероэпитаксиальных структур (количество слоев, состав, толщина). <...> Для подтверждения точности измерений необходима разработка комплекса теоретических расчётных методик для определения оптических параметров как отдельных эпитаксиальных слоев, так и многоНиконов Антон Викторович, ведущий инженер НИЦ1, зам. зав. <...> Статья поступила в редакцию 8 июля 2016 г. © Никонов А. В., Яковлева Н. И., 2016 73 слойных гетероэпитаксиальных структур. <...> Целью данной работы является исследование влияния непрямых переходов в зоне Бриллюэна на оптические параметры (коэффициент экстинкции, коэффициент поглощения, показатель преломления) эпитаксиальных слоев двойных, тройных и четверных соединений группы А3В5. <...> 1 зонная диаграмма характерна для материалов со структурой цинковой <...>