Неохлаждаемый фотовольтаический преобразователь ИК-диапазона на основе CdxHg1-xTe/Si (x = 0,3) (10,00 руб.)

Rogalski A. Infrared detectors. — Amsterdam: Gordon and Breach Science Publishers, 2000. 8. <...> Velicu S., Badano G., Selamet Y., Grein C. H., Faurie J. P., Sivananthan S., Boieriu P., Don Rafol, Ashokan R. // Journal of Electronic Materials. 2001. <...> Chu J., Sher A. Devices Physics of Narrow Gap Semiconductors, Springer, 2009. 21. <...> IR uncooled photovoltaic cell on basis of CdHg1-Te/Si ( = 0.3) R. K. Savkina, F. F. Sizov, A. V. Smirnov, V. A. Deriglazov Lashkarev Institute of Semiconductor Physics of National Academy Science of Ukraine, 41 Nauka av., Kiev, 03028, Ukraine E-mail: alex_tenet@isp.kiev.ua M. V. Yakushev Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch of Russian Academy of Science, 13 Lavrent’ev av., Novosibirsk, 630090, Russia An uncooled IR detector on basis of Cd0.3Hg0.7Te/(310)Si heterostructure is investigated. <...> The physical simulation of a diffusion-drift model has been made at 300 K. PACS: 81.05.Dz,72.40.+w,77.65.Ly Keywords: IR detector, deformation, piezoproperties, CdHgTe, heterostructure. <...> Предложен неохлаждаемый приемник ИК-излучения на базе напряженной гетеро-структуры Cd0,3Hg0,7Te/(310)Si. <...> Фото-ЭДС прототипа показывает зависимость от интенсивности падающего излучения I и его спектрального состава I(λ) на уровне D* ~ 3•10^8 (Вт•см•Гц^1/2) при 300 К. <...>