Исследовано влияние стабилизирующей нормальной матрицы на переход высокотемпературного сверхпроводника (ВТСП) в нормальное состояние. <...> Показано, что максимально допустимый ток в таком проводнике зависит от универсального параметра, в который входит коэффициент тепло-отвода, удельное сопротивление стабилизирующего покрытия, параметры вольт-амперной характеристики ВТСП и геометрические характеристики проводника. <...> Найдены аналитические выражения для тока перехода в нормальное состояние, максимально допустимого превышения температуры и значения критического теплового импульса, которые применимы в широком диапазоне параметров. <...> Показано, что стабилизирующее покрытие может приводить к некоторому увеличению тока перехода в нормальное состояние ВТСП, а также к весьма существенному повышению устойчивости по отношению к тепловым импульсам. <...> Однако стабилизирующее покрытие не может устранить локальный характер перехода сверхпроводника в нормальное состояние, если только проводник не является полностью криостатически стабилизированным. <...> Установлено, что для существующих ВТСП влияние стабилизирующего покрытия на критические параметры и динамику процесса перехода в нормальное состояние на начальной стадии весьма ограничено. <...> Кардинального изменения устойчивости сверхпроводящего состояния с помощью стабилизатора можно достичь в режиме полной криостатической стабилизации! <...>