Технологии в электронной промышленности, № 4’2015 Литература Выводы Компания ЗАО «ТЕСТПРИБОР» разработала материалы и технологию, которые могут быть использованы для изготовления корпусов нового поколения электроннoй компонентной базы, применяемой в аппаратуре ракетной и космической техники для обеспечения повышенных требований к радиационной устойчивости. <...> Применение корпусов с интегрированной радиационной защитой позволит: • обеспечить повышенную радиационную стойкость ИМС, электронных компонентов и аппаратуры; • использовать электронные компоненты коммерческого и индустриального классов для космических приложений и тем самым снизить затраты на комплектацию при производстве космической аппаратуры; • расширить номенклатуру применяемых ИМС; • обеспечить снижение весовых и габаритных параметров по сравнению со стандартными методами конструктивной защиты. <...> Авторы выражают благодарность компании «АО «ЭНПО СПЭЛС» за проведенные исследования. <...> Ионизирующие излучения космического пространства и их воздействие на бортовую аппаратуру космических аппаратов / Под ред. <...> Новые материалы для локальной радиационной защиты // Физика и химия обработки материалов. <...> Оптимальные составы для локальной защиты бортовой электроники от космической радиации // Физика и химия обработки материалов. <...> Разработка композиционных материалов, модифицированных нанопорошками, для радиационной защиты в атомной энергетике / IX Всероссийская конф. <...> A Dosimetric Evaluation of the RAD-PAK Using Mono-Energetic Electrons and Protons // RADECS 1995, IEEE Trans. <...> The Effectiveness of RAD-PAK ICs for Space Radiation Hardering // Proc. of 40-th ECTEC conference. <...> Экраны локальной радиационной защиты изделий микроэлектронной техники // Вопросы атомной науки и техники. <...> Л2-100 ТЕКО: цифровой запоминающий характериограф полупроводниковых приборов ровых производителей, таких как Analog Devices, Texas Instruments, National Semiconductor и других. <...> • Курсорные измерения напряжений и токов с дискретностью отсчета до 1 нА и до 0,2 мВ соответственно <...>