Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 634794)
Контекстум
Руконтекст антиплагиат система
Прикладная физика  / №3 2012

Радиационные эффекты в монокристаллах TlGaSe2 (10,00 руб.)

0   0
Первый авторМустафаева
АвторыАсадов М.М., Исмайлов А.А.
Страниц5
ID432259
АннотацияИзучено влияние γ-облучения на диэлектрические свойства и ac-проводимость поперек слоев монокристаллов TlGaSe2 из разных технологических партий в частотной области 5⋅10^4 — 3,5⋅10^7 Гц. Показано, что γ-облучение монокристаллов TlGaSe2 дозами 3⋅10^4 и 2,25⋅10^6 рад приводит к уменьшению диэлектрической проницаемости, а также изменяет природу диэлектрических потерь. В γ-облученных монокристаллах TlGaSe2 установлен прыжковый характер ac-проводимости вблизи уровня Ферми и оценены плотность и энергетический разброс локализованных в окрестности уровня Ферми состояний, а также среднее время и расстояние прыжков.
УДК621.315.592
Мустафаева, С.Н. Радиационные эффекты в монокристаллах TlGaSe2 / С.Н. Мустафаева, М.М. Асадов, А.А. Исмайлов // Прикладная физика .— 2012 .— №3 .— С. 20-24 .— URL: https://rucont.ru/efd/432259 (дата обращения: 26.04.2024)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

Прикладная физика № 3, 2012 УДК 621.315.592 Радиационные эффекты в монокристаллах TlGaSe2 С. Н. Мустафаева, М. М. Асадов, А. А. Исмайлов Изучено влияние слоев монокристаллов TlGaSe2 из разных технологических партий в частотной области 5⋅104 — 3,5⋅107 Гц. <...> Показано, что 2,25⋅106 рад приводит к уменьшению диэлектрической проницаемости, а также изменяет природу диэлектрических потерь. <...> В -облучения на диэлектрические свойства и ac-проводимость поперек -облучение монокристаллов TlGaSe2 дозами 3⋅104 и -облученных монокристаллах TlGaSe2 установлен прыжковый характер ac-проводимости вблизи уровня Ферми и оценены плотность и энергетический разброс локализованных в окрестности уровня Ферми состояний, а также среднее время и расстояние прыжков. <...> Jv, 72.30.+q Ключевые слова: монокристалл, γ-облучение, ac-проводимость, диэлектрическая проницаемость, диэлектрические потери, локализованные состояния, расстояние прыжков, частотная дисперсия. <...> Одним из факторов, позволяющих управлять физическими свойствами монокристаллов TlGaSe2, является легирование их металлическими примесями. <...> В [2] приведены результаты изучения влияния частичного замещения галлия железом на диэлектрические свойства монокристаллов TlGaSe2 в переменных электрических полях. <...> Было обнаружено, что такое замещение приводит к уменьшению диэлектрической проницаемости ε кристаллов и увеличению тангенса угла диэлектрических потерь tg δ. <...> E-mail: mirasadov@gmail.com Статья поступила в редакцию 20 сентября 2011 г. © Мустафаева С. Н., Асадов М. М., Исмайлов А. А., 2012 ния влияния γ-облучения на диэлектрические свойства и проводимость монокристаллов TlGaSe2 на переменном токе (ac-проводимость). <...> Экспериментальная часть Диэлектрические измерения монокристаллов TlGaSe2 на переменном токе проведены резонансным методом с помощью куметра TESLA BM 560 (подробнее методику см. в [2]). <...> Объектами исследования служили образцы из монокристаллов TlGaSe2, взятых из двух технологических партий, т. е. из разных слитков. <...> Диэлектрические свойства <...>