76 УДК 621.315.5 Изучение процесса диффузии цинка в InP и в гетероструктуры InP/ In0.53 Ga0.47As/InP применительно к p─i─n-фотодиодам Д.С. Андреев, Н.Б. Залетаев, П.Е. Хакуашев, И.В. Чинарева, М.А. Тришенков Целью данной работы является исследование диффузии цинка в фосфид индия и гетероструктуры n-InP/n-In0.53 делена зависимость времени диффузии от толщины эпитаксиального слоя и подобрана формула, удобная для практических расчетов. <...> Определен коэффициент диффузии цинка в монокристаллическом и эпитаксиальном InP, в n-InP/n-In0.53 Ga0.47As/n+ -InP. <...> Ключевые слова: монокристаллический, эпитаксиальный фосфид индия, гетероэпитаксиальная структура n-InP/n-In0.53 Ga0.47As/n+ Введение Диффузия в гетероэпитаксиальные структуры n-InP/n-In0.53Ga0.47As/n+ -InP является одной из ключевых операций для формирования p─n-перехода при изготовлении фотодиодов, чувствительных в диапазоне длин волн 0,9─1,7 мкм. <...> Однако на практике элементарные диффузанты обычно не используются, т. к. процесс при этом плохо управляем, диффузия идет слишком быстро, причем часто наблюдается эрозия поверхности полупроводника. <...> Для создания диффузионного p─n-перехода в соединениях вида АIII ВV необходимо избыточное давление паров летучего компонента V групАндреев Дмитрий Сергеевич, вед. инженер. <...> Вернадского, 78 Статья поступила в редакцию 25 сентября 2013 г. 4© Андреев Д.С., Залетаев Н.Б., Хакуашев П.Е., Чинарева И.В., Тришенков М.А., 2013 -InP, диффузия, коэффициент диффузии. пы для предотвращения разложения поверхности полупроводника при нагреве. <...> Наиболее вероятные причины эрозии следующие [2]: химическое взаимодействие диффузанта с полупроводником, конденсация части диффузанта на поверхности полупроводника, частичное испарение легколетучих компонентов группы BV (в нашем случае, элементарный фосфор). <...> Устранить следы эрозии традиционными, химико-механическими способами обработки поверхности практически невозможно вследствие малых толщин эпитаксиальных слоев гетероструктур. <...> По этой причине диффузию <...>