Прикладная физика, 2013, № 6 УДК 621.383.4/5 Фотоприемные модули на основе гетероэпитаксиальных структур AlGaN К.О. <...> Болтарь, Н.И. Яковлева, Н.В. Кравченко, М.В. Седнев, А.В. Никонов, М.А. Тришенков Исследованы матричные ультрафиолетовые фотоприемные модули (УФМ) формата 320х256 элементов на основе гетероэпитаксиальных структур Alx чувствительные в видимо-слепом и солнечно-слепом диапазонах УФ диапазона. <...> ГЭС AlGaN выращивались методами мосгидридной эпитаксии (МОС) и молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) на сапфировых подложках. <...> Dw Ключевые слова: AlGaN, GaN, ультрафиолетовый (УФ) спектральный диапазон, гетероэпитаксиальные структуры, p─i─n-фотодиод, матрица фоточувствительных элементов, ультрафиолетовый фотоприемный модуль. <...> В Государственном научном центре «НПО «Орион» проводятся разработки по созданию ультрафиолетовых матричных фотоприемных устройств на основе группы нитридов для современной оптико-электронной отображающей аппаратуры ультрафиолетового диапазона спектра. <...> Фотоприемные устройства и фотоприемные оптико-электронные системы на основе ультрафиолетовых матриц, сформированных в гетероэпитаксиальных УФ-структурах двойных и тройных соединений GaN/AlGaN с высоким значением обнаружительной способности порядка 1013 см·Вт-1 ·Гц 1/2 предназначены для решения широкого круга задач, в том числе для полного спектрального исследования Солнца и космического пространства. <...> Среди задач в ультрафиолетовой области спектра наиболее актуальными являются прогнозы Болтарь Константин Олегович, нач. <...> ПТК1 Седнев Михаил Васильевич, нач. участка НТК1 Никонов Антон Викторович, инженер НИЦ1,2 Тришенков Михаил Алексеевич, вед. спец. <...> . Исследуемые образцы матриц фоточувствительных элементов Тип матрицы фоточувствительных элементов диктуется решаемой задачей и условиями эксплуатации фотоприемного устройства. <...> Фотодиоды на основе р─n-переходов привлекательны благодаря высоким напряжениям пробоя и высоким скоростях носителей <...>