Прикладная физика, 2013, № 6 УДК 621.383.4/5:621.315.59 Матричные фотодиоды коротковолнового ИК-диапазона на основе MOC-эпитаксиальных слоев КРТ А.М. <...> Филачев, А.В.Никонов, К.О. Болтарь, А.Н. Моисеев, А.В. Чилясов, Б.С. Степанов Исследованы температурные зависимости фотоэлектрических параметров матриц фотодиодов инфракрасного диапазона 1–3 мкм на основе эпитаксиальной структуры КРТ состава x = 0,414, выращенной методом осаждения из металлоорганических соединений и ртути (MOC-эпитаксия). <...> Показано, что высокие характеристики чувствительности фотодиодов КРТ при температурах охлаждения Т = 160–170 К позволяют применять фотоприемники на основе эпитаксиальных слоев КРТ, выращенных МОС-эпитаксией, в перспективной оптико-электронной аппаратуре. <...> Ключевые слова: сканирующее фотоприемное устройство, кадмий ртуть теллур, КРТ, MOCVD-эпитаксиальные слои, инфракрасный фотоприемник, спектральная характеристика чувствительности, длина диффузии, ВЗН. <...> Введение Исследование температурных зависимостей фотоэлектрических параметров фотодиодов инфракрасного диапазона 1–3 мкм на основе эпитаксиальных гетероструктур КРТ, выращенных методом MOCVD является важной задачей для изготовления матричных фотодиодов коротковолнового ИК-диапазона. <...> Узкозонный полупроводниковый материал КРТ — твердый раствор теллурида кадмия и теллурида ртути — обладает высокими фотоэлектрическими характеристиками во всем диапазоне инфракрасного спектра. <...> Для получения эпитаксиальных слоев КРТ применяются различные методы [1]: молекулярно-лучевая эпитаксия (МЛЭ), Филачев Анатолий Михайлович, ген. директор 1 сор 2 . <...> Болтарь Константин Олегович, начальник НТК1 сор 2 Никонов Антон Викторович, инженер 1 . , аспирант 2 , профес. <...> Чилясов Алексей Викторович, старший научный сотрудник 3 Моисеев Александр Николаевич, заместитель директора 3 . <...> E-mail: moiseev@ihps.nnov.ru Статья поступила в редакцию 20 сентября 2013 г. © Филачев А.М., Никонов А.В., Болтарь К.О., Моисеев А.Н., Чилясов А.В., Степанов <...>