Шемухин, П.Н. Черных, В.С. Черныш, Ю.В. Балакшин, А.В. Назаров Приведено описание введенного в эксплуатацию экспериментального комплекса HVEE500 НИИЯФ МГУ, позволяющего исследовать поверхности и тонкие пленки с разрешением по глубине вплоть до 1─2 монослоев. <...> В комплексе предусмотрена возможность проведения in situ экспериментов по взаимодействию ионных пучков с покрытиями и исследования их с применением ионно-пучковых методик. <...> Имплантация ионов от 1 до 250 атомной единицы массы проводится в мишени с размерами до 150х150 мм с однородностью дозы по этой площади не хуже 99%. <...> PACS: 29.27. — a Ключевые слова: ионная имплантация, резерфордовское обратное рассеяние, спектроскопия рассеяния ионов средних энергий, модификация и анализ поверхности. <...> В связи с минитюаризацией элементов микросхем многие из существующих методик исследования имеют ряд недостатков, а именно, одни являются разрушающими, а другие имеют недостаточное разрешение распределения элементов по глубине. <...> С их помощью определеяют элементный состав покрытий и модифицированных твердых тел, изучают профили распределения по глубине примесных или имплантированных атомов, определяют структуры и толщин слоев в многослойных покрытий а также процессы взаимодиффузии в этих слоях. <...> Необходимо отметить, что для определения стехиометрического состава не требуется использование эталонных образцов, поскольку сечения рассеяния для различных элементов хорошо известны. <...> E-mail: shemuhin@gmail.com Статья поступила в редакцию 7 ноября 2013 г. © Шемухин А.А., Черных П.Н., Черныш В.С., Балакшин Ю.В., Назаров А.В., 2013 Целью данной статьи является презентация и описание возможностей уникального комплекса на базе ускорителя тяжелых ионов с энергиями до 500 кэВ, созданного в лаборатории ионнопучковых нанотехнологий НИИЯФ МГУ (www. ionlab.ru). <...> 1) оснащен тремя исследовательскими линиями, а именно, ионной имплантации, методик обратного рассеяния и методики спектрометрии рассеяния ионов средних <...>