34 УДК 537.525.99 Исследование параметров плазмы индуктивного ВЧ-источника плазмы диаметром 46 см. Часть I. <...> Параметры плазмы в области скин-слоя А.Ф. Александров, К.В. Вавилин, Е.А. Кралькина, П.А. Неклюдова, В.Б. Павлов В работе представлены результаты экспериментального исследования эффективной температуры и концентрации электронов в области скин-слоя индуктивного ВЧ-разряда в инертных газах. <...> Результаты измерений проявили немонотонную зависимость параметров плазмы от давления. <...> Показано, что при давлениях, соответствующих минимуму электронной температуры, частота упругих столкновений в аргоне и криптоне ниже, чем в гелии, вследствие эффекта Рамзауэра. <...> Pi Ключевые слова: индуктивный, емкостной, высокочастотный, разряд, плазма, электронная температура, концентрация Введение В настоящее время в связи с развитием плазменных технологий и конструированием нового поколения источников плазмы, в т. ч. на базе индуктивных ВЧ-разрядов, встает вопрос о выявлении ключевых параметров, влияющих на плотность плазмы и ее пространственное распределение, на эффективность поглощения ВЧмощности плазмой индуктивного ВЧ-разряда. <...> Основными параметрами, определяющими свойства плазмы индуктивного ВЧ-разряда, являются частоты столкновений электронов с компонентами плазмы, толщина скин-слоя d, длина свободного пробега электронов l и длина релаксации электронов по энергиям λε . <...> Работы первой группы [1─3] посвящены изучению свойств разряда при низких давлениях, когда электроны набирают энергию в скин-слое, а расходуют ее во всем объеме источника плазмы, т. е. при условиях нелокальности , λε . <...> Цель данной работы состоит в систематичениях, при которых реализуется локальный режим , λε , т. е. режим, при котором электроны набодного полета заряженных частиц сменяется диффузионным, режим, характеризующийся нелокальным вводом ВЧ-мощности, сменяется режимом, где ВЧ-мощность вводится локально. <...> Кроме того, изменяются <...>