16 УДК 621.315.592 Морфология поверхности, электрофизические и фотоэлектрические свойства эпитаксиальных пленок узкозонных халькогенидов АIV BVI И.Р. <...> Нуриев тод конденсации молекулярных пучков и горячей стенки), в корреляции с электрофизическими свойствами и проведено сравнение с другими АIV Snx BVI и морфология поверхности сильно влияет на электрофизические свойства. <...> Для этой цели широко используются структурно совершенные эпитаксиальные пленки полупроводников. <...> Все структурные изменения, происходящие в тонких приповерхностных слоях, отражаются на характеристиках приборов, изготовленных на их основе. <...> По этой причине современная электронная техника требует получения совершенных эпитаксиальных пленок с заданными свойствами, свободных от различного рода нежелательных поверхностных состояний. <...> Поэтому исследование морфологии поверхности эпитаксиальных пленок в корреляции с электрофизическими и фотоэлектрическими свойствами представляет научный и практический интерес. <...> Полупроводниковые соединения BVI группы АIV и твердые растворы на их основе, в кото рых можно плавно регулировать ширину запрещенной зоны путем изменения состава, нашли широкое применение при изготовлении инжекционных лазеров и фотодиодов ИК-излу чения [2]. <...> Разработан ряд методов для получения структурно совершенных однородных эпи таксиальных пленок с заданными толщиной, составом и концентрацией носителей заряда [3]. <...> Целью данной работы являлось исследование морфологии поверхности эпитаксиальных пленок Нуриев Идаят Рагим оглы, руковод. лаборатории. <...> E-mail afi n@aport2000.ru Статья поступила в редакцию 20 сентября 2013 г. © Нуриев И.Р., 2013 тодами термического напыления (метод конденсации молекулярных пучков и горячей стенки), в корреляции с электрофизическими свойствами, а также сравнение этих пленок с другими структурами типа АIV Pb1-xSnxSe (x = 0,07), полученных различными меBVI . <...> Экспериментальные результаты и их обсуждение морфологии поверхности <...>