60 УДК 621.383.4/5 Особенности гетероструктур InGaAs/InP, предназначенных для изготовления быстродействующих фотоприемных устройств коротковолнового диапазона ИК-спектра Е. Д. <...> Коротаев, Н. И. Яковлева, А. Е. Мирофянченко, А. В. Ляликов Рассмотрены особенности построения гетероструктур на основе InGaAs, предназначенных для изготовления быстродействующих фотоприемных устройств коротковолнового диапазона спектра. <...> Проведен анализ их структурного совершенства и морфологии поверхности. <...> Анализ показал, что исследуемые структуры обладают наношероховатой поверхностью с малым количеством дефектов и структурных несовершенств. <...> Плотность дефектов составила ~ 5 см-2, средневквадратичное значение шероховатости ~ 0,8 нм, выявлены структурные особенности роста эпитаксиальных слоев. <...> Dw Ключевые слова: InGaAs, InP, коротковолновый инфракрасный спектральный диапазон, гетероэпитаксиальные структуры, p─i─n-фотодиод, матрица фоточувствительных элементов, фотоприемное устройство. <...> Введение Матричные фотоприемные устройства (ФПУ), чувствительные в коротковолновом инфракрасном (ИК) диапазоне спектра (SWIR), используются для работы в самых различных отраслях применения, например, в космических исследованиях, медицине, неразрушающем контроле, системах оптической связи, оптоволоконной связи, сельском хозяйстве, астрономии и др. <...> Высокие значения чувствительности и обнаружительной способности делают возможным использование ФПУ на основе InGaAs/InP в составе систем высокоточного наведения и сопровождения целей [1, 2]. <...> Развитие прогрессивных эпитаксиальных методов выращивания наноразмерных гетероструктур, в частности, метода МОС-гидридной эпитаксии (МОСГЭ) [3, 4], позволяет создавать уникальные полупроводниковые соединения на основе твердых растворов А3В5, включая бинарные (AlAs, GaP, InP, AlP), тройные (InGaAs, AlGaAs) и Коротаев Евгений Дмитриевич, инженер НИЦ. <...> E-mail: orion@orion-ir.ru Статья поступила в редакцию 29 сентября 2014 г. © Коротаев Е. Д., Яковлева Н <...>