52 УДК 621.383.4/5 Исследование температурной зависимости диффузионной длины неосновных носителей заряда в эпитаксиальных слоях КРТ И. А. <...> Никифоров, А. В. Никонов, К. О. Болтарь, Н. И. Яковлева Исследована температурная зависимость диффузионной длины неосновных носителей заряда в активном фоточувствительном слое матричного фотоприёмного устройства на основе гетероэпитаксиальной структуры КРТ, выращенной методом молекулярнолучевой эпитаксии. <...> Dw Ключевые слова: CdHgTe, инфракрасный спектральный диапазон, гетероэпитаксиальные структуры, неосновные носители заряда, диффузионная длина. <...> Введение В настоящее время матричные фотоприемники на основе твердых растворов теллуридов ртути и кадмия с мольной долей теллурида кадмия x = 0,414 активно вытесняют фотоприемники на основе селенидов свинца для коротковолнового спектрального диапазона 1—4 мкм [1, 2]. <...> Типичный вид фотоприёмной матрицы представлен на рис. <...> Основным рабочим элементом является эпитаксиальный слой КРТ на подложке из CdTe, Ge, Si или GaAs. <...> Параметры этого слоя (состав, количество дислокаций, подвижность, концентрация, время жизни и диффузионная длина носителей заряда) являются определяющими для конечных характеристик фотоприемника. <...> Кроме того, свойства эпитаксиальной пленки могут сильно изменяться в процессе технологической обработки из-за диффузии ртути, возникновения большого числа дислокаций в структуре раствора. <...> Это приводит к изменению состава, подвижности, концентрации и длины диффузии неосновных носителей заряда. <...> Матричный фотоприемник на основе гетероэпитаксиальной структуры КРТ Одним из наиболее важных параметров, характеризующих материал полупроводниковых фотоприемников, является диффузионная длина неосновных носителей заряда [3]. <...> С одной стороны, с уменьшением диффузионной длины уменьшается количество собранных p—n-переходом неосновных носителей заряда, и, тем самым, фототок; с другой стороны, увеличение диффузионной длины <...>