Прикладная физика, 2014, № 6 47 Фотоэлектроника УДК 621.383.4/5 Диодные матрицы формата 33 на основе одиночных гетeроструктур р-InAsSbP/n-InAs Н. Д. Ильинская, С. А. Карандашев, Н. Г. Карпухина, А. А. Лавров, Б. А. Матвеев, М. А. Ременный, Н. М. Стусь, А. А. Усикова гетероструктуры р-InAsSbP/n-InAs/n+-InAs, чувствительной/излучающей на длинах волн вблизи 3,3 мкм в области рабочих температур -20…. <...> Рассмотрены возможности формирования как положительного, так и отрицательного эквивалента теплового контраста. <...> В работе приведены результаты исследований электролюминесценции и фотоэлектрических свойств монолитной диодной матрицы 3 PACS: 07.57. <...> Введение Одним из наиболее востребованных оптоэлектронных устройств, работающих в области спектра 3—4 мкм, является матрица с плотноупакованными элементами, позволяющая создавать на двумерной поверхности заданное распределение интенсивности излучения и/или регистрировать распределение падающего на матрицу излучения от удаленного объекта. <...> Для указанных выше целей удобно использовать узкозонные полупроводниковые соединения А3В5, а также гетероструктуры на их основе, обладающие низкой концентрацией дефектов и стабильностью металлургических гетерограниц. <...> Статья поступила в редакцию 25 августа 2014 г. © Ильинская Н. Д., Карандашев С. А., Карпухина Н. Г., Лавров А. А., Матвеев Б. А., Ременный М. А., Стусь Н. М., Усикова А. А., 2014 3 на основе одиночной «объемных» полупроводников, таких как InGaAs [3], InGaAsSb [4] и InAs [5, 6], для изготовления многоэлементных монолитных источников и приемников излучения с высоким фактором заполнения. <...> InAs является хорошо изученным материалом ИК-оптоэлеткроники, однако, до настоящего времени исследовались лишь изотипные [7] или p—n-гомоструктуры на основе InAs [5, 6], уступающие по многим параметрам p—n-гетероструктурам. <...> При этом совместные исследования электролюминесценции и фотоэлектрических свойств на одном объекте (матрице), содержащем активную область из InAs, не проводились. <...> В данной работе <...>