72 УДК 621.315.592 Исследование условий выращивания монокристаллов Cd1-xZnxTe (х ≤ 0,04) методом вертикальной направленной кристаллизации по Бриджмену М. Б. <...> Гришечкин, И. А. Денисов, А. А. Силина, Н. А. Смирнова, Н. И. Шматов Исследованы условия выращивания монокристаллов Cd1-xZnxTe (х ≤ 0,04) методом вертикальной направленной кристаллизации (ВНК) по Бриджмену с использованием затравки, ориентированной в направлениях [111] или [211]. <...> Оптические и структурные свойства выращенных кристаллов удовлетворяют требованиям, предъявляемым к материалу подложек для жидкофазной эпитаксии гетероструктур Hg1-xCdxTe. <...> Показана возможность выращивания слитков с объемной долей монокристалла до 99 %. <...> Введение В настоящее время твердые растворы CdZnTe являются одним из основных материалов для изготовления подложек при наращивании эпитаксиальных слоев Hg1-xCdxTe. <...> Объемные кристаллы CdZnTe получают преимущественно различными вариантами направленной кристаллизации, среди которых наиболее распространенным является вертикальный метод Бриджмена и его модификации [1—3]. <...> В отличие от метода горизонтальной направленной кристаллизации, использование затравки в вертикальном методе Бриджмена затруднено вследствие отсутствия визуального контроля затравления и дальнейшего разращивания слитка. <...> Поэтому процесс выращивания обычно проводят в условиях самопроизвольного зарождения твердой фазы. <...> Кристаллы, выращенные таким способом, содержат, как правило, несколько зерен различного размера, имеющих случайную ориентацию, двойники и другие дефекты структуры, обусловГришечкин Михаил Борисович, научный сотрудник. <...> Статья поступила в редакцию 28 сентября 2014 г. © Гришечкин М. Б., Денисов И. А., Силина А. А., Смирнова Н. А., Шматов Н. И., 2014 ленные высокой скоростью роста в начальный период кристаллизации расплава [4]. <...> Пластины, вырезанные из таких кристаллов, как правило, под углом к направлению роста, имеют значительную степень неоднородности распределения концентрации <...>