Прикладная физика, 2014, № 5 УДК 621.315.5 Исследование поверхности эпитаксиальных гетероструктур CdхHg1-хТе после полирующего травления А. С. Кашуба, Е. В. Пермикина, С.В. Головин В работе приведены результаты исследований гетероструктур теллурида кадмияртути ориентации [310] после полирующего травления. <...> Измерения электрофизических характеристик и визуальный контроль методом атомно-силовой микроскопии показали, что травление ГЭС КРТ в системе Н2О2-НВr-этиленгликоль с добавлением метанола улучшает структуру поверхности CdHgTe по сравнению с травлением в данной системе без метанола. <...> При этом значения концентрации поверхностных электронов, рассчитанные по зависимости коэффициента Холла от величины магнитного поля, уменьшаются на порядок, шероховатость поверхности снижается не менее чем в три раза. <...> Dw Ключевые слова: эпитаксиальные структуры, ГЭС КРТ, атомно-силовая микроскопия, электрофизические параметры, шероховатости поверхности CdHgTe, метанол СH3OH. <...> Введение На данный момент остаются актуальными вопросы, связанные с производством крупноформатных инфракрасных фотодиодных матриц для матричных фотоприемных устройств (МФПУ) на основе узкозонного полупроводникового твёрдого раствора теллурида кадмия-ртути [1—5]. <...> При изготовлении матричных фотодиодных элементов с целью уменьшения поверхностной рекомбинации эпитаксиальные структуры CdHgTе покрывают пассивирующим слоем [6, 7]. <...> Состояние поверхности CdHgTе влияет на качество пассивации и стабильность границы раздела КРТ—пассивирующий слой. <...> Для того чтобы минимизировать токи утечки фотодиодов, изготовленных в ГЭС КРТ, обеспечить отсутствие инверсии проводимости у поверхности CdTe и сократить плотность поверхностных состояний на границе раздела CdHgTe— пассивирующий слой, перед проведением пассивации необходимо обработать поверхность ГЭС КРТ полирующим травителем. <...> Одним из индикаторов уменьшения плотности поверхностных состояний является уменьшение <...>