50 УДК 621.383:621.315.5 Вольтамперные характеристики фотодиодов матрицы фоточувствительных элементов планарного типа на основе структуры p-InP/InGaAs/n-InP матрицы фоточувствительных элементов (МФЧЭ) планарного типа на основе гетероэпитаксиальной структуры р-InP/InGaAs/n-InP формата 320 В. М. Акимов, Д. С. Андреев, С. С. Демидов, Н. А. Иродов, Е. А. Климанов Исследованы вольтамперные характеристики (ВАХ) отдельных фотодиодов 256 элементов с шагом 30 мкм и размером фоточувствительной площадки 20 20 мкм2. <...> При подаче смещения на отдельные ФЧЭ получены большие значения темновых токов и фототоков при слабых засветках, что свидетельствует о наличии связи с соседними элементами. <...> Подача напряжения одновременно на соседние площадки (измерение в режиме “охранного кольца”) приводила к уменьшению темнового и фототока, и при напряжении обратного смещения от -2 до -6 В для различных образцов, величина темнового тока составляла менее 1 пА, а фоточувствительность 0,8 А/Вт. <...> Дано качественное объяснение механизма взамосвязи между элементами наличием инверсионного слоя на гетероэпитаксиальной границе. <...> PACS: 85.60.-q Ключевые слова: вольтамперные характеристики, планарный тип, гетероэпитаксиальная структура p-InP/InGaAs/n-InP, темновой ток, матричные фоточувствительные элементы. <...> Введение Имеется большое количество работ, посвященных исследованиям характеристик диодов и матриц фоточувствительных элементов на основе InP и тройных соединений [1—9]. <...> К сожалению, некоторые проблемы, характерные для матриц планарного типа, например, такие как взаимосвязь между соседними элементами, обсуждаются сравнительно редко. <...> Поэтому нами проведены измерения вольтамперных характеристик (ВАХ) отдельных фотодиодов матрицы фоточувствительных элементов (МФЧЭ) и на основании полученных результатов рассмотрены возможные механизмы взаимосвязи соседних элементов. <...> Статья поступила в редакцию 26 сентября 2014 г. © Акимов В. М., Андреев Д. С., Демидов С. С., Иродов Н. А., Климанов <...>