Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 634932)
Контекстум
Руконтекст антиплагиат система
Прикладная физика  / №5 2014

Исследование структурных неоднородностей карбида кремния методом малоуглового рентгеновского рассеяния (10,00 руб.)

0   0
Первый авторЛогунов
АвторыНеверов В.А., Мамин Б.Ф.
Страниц4
ID432102
АннотацияМетодом малоуглового рентгеновского рассеяния исследована наноструктура кристаллов карбида кремния. Детальный анализ индикатрис рассеяния позволил установить наличие структурных неоднородностей в виде точечных дефектов, линейных и объемных фракталов. Характерной особенностью кристаллов является отсутствие фрактальных поверхностей раздела рассеивающих образований и агрегатов.
УДК538.971
Логунов, М.В Исследование структурных неоднородностей карбида кремния методом малоуглового рентгеновского рассеяния / М.В Логунов, В.А. Неверов, Б.Ф. Мамин // Прикладная физика .— 2014 .— №5 .— С. 15-18 .— URL: https://rucont.ru/efd/432102 (дата обращения: 29.04.2024)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

Прикладная физика, 2014, № 5 УДК 538.971 Исследование структурных неоднородностей карбида кремния методом малоуглового рентгеновского рассеяния М. <...> В Логунов, В. А. Неверов, Б. Ф. Мамин Методом малоуглового рентгеновского рассеяния исследована наноструктура кристаллов карбида кремния. <...> Детальный анализ индикатрис рассеяния позволил установить наличие структурных неоднородностей в виде точечных дефектов, линейных и объемных фракталов. <...> Характерной особенностью кристаллов является отсутствие фрактальных поверхностей раздела рассеивающих образований и агрегатов. <...> Dd + 61.72. up Ключевые слова: карбид кремния, малоугловое рассеяние, фрактальная размерность, структурные неоднородности. <...> Введение Существенный прогресс технологий получения кристаллов карбида кремния SiC, разработка новых полупроводниковых приборов на его основе, совершенствование методов контроля качества подложек постоянно стимулируют исследования их тонкой структуры наноразмерного уровня. <...> Известно, что в процессе роста кристаллов SiC [1] может происходить спонтанное зарождение и рост большого числа мелкомасштабных кристаллов, отрицательно влияющих на качество конечных объемных кристаллов большого диаметра. <...> При выращивании кристаллов методом сублимации возможен рост зародышей со случайной ориентацией, что приводит к образованию мелких кристаллов неконтролируемых политипов, планарных дефектов, дислокаций, нескольких видов точечных дефектов [2]. <...> Линейные масштабы указанных неоднородностей составляют единицы—десятки микрометров. <...> Для исследования структурных неоднородностей наноразмерных масштабов нами использован метод малоуглового рентгеновского рассеяния (МУРР) [3], который позволяет получить ряд данных, относящихся к локальным областям образца [4]. <...> Например, представляется возможность оценки размеров нанообъектов, а именно: отдельных частиц, пор, зерен, кластеров, входящих в состав Логунов Михаил Владимирович, профессор <...>