Прикладная физика, 2014, № 4 УДК 621.315.592 Спектральные характеристики поглощения в эпитаксиальных структурах на основе InAs при температурах 80 К и 300 К О. С. Комков, Д. Д. Фирсов, Е. А. Ковалишина, А. С. Петров В работе исследованы эпитаксиальные структуры n-InAs, выращенные на сильнолегированной подложке n++-InAs методом хлоридно-гидридной эпитаксии. <...> Представлены экспериментально полученные спектры показателя поглощения n++-InAs при 83 К и 300 К. <...> Проведено сравнение спектральных зависимостей доли поглощаемого в эпитаксиальном слое излучения при облучении со стороны подложки с различным уровнем легирования n = (0,6–3,3)·1018 см-3. <...> Df, 07.57.-c, 85.60.Gz Ключевые слова: арсенид индия, InAs, показатель поглощения, влияние легирования, эффект Бурштейна–Мосса. <...> Введение Одиночные и матричные фотоприёмные устройства, чувствительные к излучению в диапазоне 2,0—4,0 мкм находят применение в приборах газового анализа [1], медицинском тепловидении [2], ИК-микроскопах для научных исследований [3], системах лазерной локации, экологического мониторинга и дистанционного зондирования Земли из Космоса [4]. <...> Для работы в этом спектральном диапазоне идеально подходят фотоприёмники на основе арсенида индия. <...> Фотоприёмники такого типа представляют собой фотодиоды или МДП-структуры, фотопоглощающим слоем в которых является эпитаксиальный слой нелегированного арсенида индия nтипа проводимости, выращенный на сильнолегированной подложке n++-InAs [5]. <...> Засветка обычно производится через сильнолегированную подложку, край полосы поглощения которой сдвинут в коротковолновую область спектра, что обусловлено эффектом Бурштейна–Мосса. <...> При этом данные о пропускании подложек n++-InAs, известные из литературы, имеют заметные отличия [6, 7]. <...> Статья поступила в редакцию 10 сентября 2014 г. © Комков О. С., Фирсов Д. Д., Ковалишина Е. А., Петров А. С., 2014 В настоящей работе представлены результаты исследования оптического поглощения в пластинах n++-InAs, используемых в качестве подложек <...>