90 УДК 621.383:621.315.5 Формирование общего контакта в мезапланарных матрицах фоточувствительных элементов на основе гетероэпитаксиальных структур InGaAs/InP Д. С. <...> Андреев, Т. Н. Гришина, Т. Н. Мищенкова, М. А. Тришенков, И. В. Чинарева Авторами показано, что при изготовлении матриц фоточувствительных элементов на гетероструктурах InGaAs/InP по мезапланарной технологии использование травителя HCl:HNO3:CH3COOH:H2O2 = 1:6:1:1 позволило воспроизводимо получать мезаструктуры глубиной 3ч7 мкм с полированной боковой поверхностью и углом наклон мезаструктуры 60°. <...> Введение В настоящее время актуальной задачей является усовершенствование технологических процессов при производстве матричных фоточувствительных элементов на основе InGaAs/InP в интересах нового поколения приборов ночного видения [1—4]. <...> Целью данной работы являлась усовершенствование изготовления матриц фоточувствительных элементов на гетероструктурах InGaAs/InP по мезапланарной технологии путем подбора оптимального травителя. <...> Усовершенствование процесса формирования контактной системы Для создания контактной системы на одной стороне пластины (эпитаксиальной стороне) в технологический процесс изготовления прибора было введено меза-травление структуры вокруг планарной матрицы фоточувствительных элементов (МФЧЭ). <...> Эта операция является одной из ключевых при изготовлении МФЧЭ по мезапланарной технологии. <...> Статья поступила в редакцию 24 мая 2014 г. © Андреев Д. С., Гришина Т. Н., Мищенкова Т. Н., Чинарева И. В., Тришенков М. А., 2014 Прикладная физика, 2014, № 4 Основные требования, предъявляемые к мезаструктуре, можно сформулировать следующим образом. <...> 1) Глубина мезы должна равняться суммарной толщине эпитаксиальных слоев от 3 мкм до 7 мкм. <...> 2) Высокое качество боковой поверхности мезаструктуры с зеркальностью, малым количеством ямок и прочих дефектов травления. <...> 4) Приблизительно равные скорости травления InP и InGaAs (отсутствие ступенчатого травления). <...> Для отработки операции травления <...>