68 УДК 621.315.5 Влияние параметров границы раздела полупроводник-диэлектрик на ток охранного кольца кремниевых фотодиодов С. С. Демидов, Е. А. Климанов Приведены соотношения, определяющие требования к сопротивлению инверсионного слоя для уменьшения влияния тока охранного кольца на темновой ток и шумы фотодиодов, и получения заданного значения коэффициента взаимосвязи между ФЧЭ в многоэлементных ФД. <...> Показано, что зависимости тока охранного кольца от напряжения смещения и заряда на границе раздела Si—SiO2 при наличии инверсионного слоя удовлетворяют модели генерации тока в его области пространственного заряда. <...> Сопротивление инверсионного слоя возрастает с ростом напряжения смещения в соответствии с зависимостью Rи ~V 1,5. <...> Введение Значительный вклад в шумы фотодиодов (ФД) могут вносить токи утечки, создаваемые инверсионными слоями, возникающими на поверхности базовой области с низкой концентрацией легирующей примеси, например, в кремниевых p─i─n-фотодиодах, изготавливаемых на подложках p-типа. <...> Одним из известных способов снижения их влияния на темновые токи и шумы фоточувствительных элементов (ФЧЭ) является использование двух типов охранных колец: изолирующих периферию за счет высокой концентрации основных носителей, а именно, кольцо р+-типа на подложке р-типа и кольцевые n+─p-переходы, включенные в цепь, параллельную сигнальной цепи ФЧЭ [1, 2, 5, 6]. <...> Другим важным параметром является коэффициент взаимосвязи между ФЧЭ в многоэлементных фотодиодах, который также увеличивается при наличии на поверхности инверсионных слоев. <...> Целью настоящей работы является исследование технологических факторов, влияющих на ток охранного кольца второго типа Ik и коэффициент взаимосвязи k. <...> E-mail: orion@orion-ir.ru Статья поступила в редакцию 10 августа 2014 г. © Демидов С. С., Климанов Е. А., 2014 Iш Rн Iшк Ск Rк n+ Прикладная физика, 2014, № 4 Влияние тока охранного кольца и сопротивления инверсионного слоя на параметры ФД Из эквивалентной <...>