Прикладная физика, 2014, № 4 УДК 621.315.5 Ионно-лучевое травление для формирования мезаструктур МФПУ М. В. <...> Седнев, К. О. Болтарь, Ю. П. Шаронов, А. А. Лопухин Представлены результаты исследований профилей, формируемых ионно-лучевым травлением полупроводниковых структур через маску, изготовленную методами фотолитографии. <...> Минимальные размеры областей, незащищенных маской на двух исследованных структурах были равны: 2 и 5 мкм соответственно. <...> Показано, что скорость травления падает с уменьшением ширины свободного от маски промежутка. <...> Эффект отражения ионного пучка от вертикальных стенок, формируемых при травлении, может быть использован для изготовления субмикронных разделяющих мезаобластей. <...> Введение В последнее время обозначилась тенденция ко все более расширяющемуся использованию гетероэпитаксиальных структур на основе соединений элементов III и V групп для решения задач микрофотоэлектроники. <...> Актуальной задачей является создание матричных фотоприемных устройств (МФПУ) ультрафиолетового и ближнего инфракрасного диапазонов спектра на эпитаксиальных слоях GaхAl1-хN/Al2O3, InхGa1-хAs/InP мегапиксельного формата [1, 2]. <...> МФПУ на основе мезаструктур привлекательны малой фотоэлектрической взаимосвязью соседних пикселей, поскольку объемы, генерирующие фототок, разделены (см. рис. <...> Это достоинство приборов на основе фотодиодных мезаструктур особенно очевидно при использовании технологии перевернутого кристалла (освещение со стороны подложки), так как отражение принимаемого излучения от поверхности V-образных канавок, формирующих фоточувствительные пиксели, может улучшать пороговые характеристики МФПУ. <...> Схематическое изображение фрагмента фотодиодных матричных структур Заметим, что широкие канавки могут уменьшить фоточувствительную площадь пикселя. <...> Целью данной работы являлось исследование профилей, формируемых ионно-лучевым травлением полупроводниковых структур через маску, изготовленную методами <...>