Прикладная физика, 2014, № 4 45 Фотоэлектроника УДК 621.383:621.315.5 Исследование фотодиодов c токами утечки в матричных фотоприемниках на основе антимонида индия К. О. Болтарь, П. В. Власов, В. В. Ерошенков, А. А. Лопухин Проведено исследование основных причин возникновения фотодиодов с токами утечки в МФПУ на основе антимонида индия. <...> На большом объеме МФЧЭ установлена связь одноточечной дефектности с напряжением пробоя, диффузионной длиной, концентрацией основных носителей и плотностью дислокаций. <...> Представлены характерные распределения дефектности по пластинам антимонида индия. <...> Показано влияние на дефектность качества обработки пластин после резки слитков и погрешностей технологии изготовления. <...> Введение Достигнутый в настоящее время уровень дефектности в изготавливаемых ОАО «НПО «Орион» серийных матричных фотоприемных устройствах (МФПУ) формата 320Ч256 элементов на основе антимонида индия составляет около 0,1—0,3 % [1—10]. <...> В основной массе эти 80—250 элементов матрицы обусловлены токами утечки фотодиодов. <...> Условно можно назвать их «скрытыми» дефектами, то есть обусловленными полупроводниковым материалом и его обработкой. <...> Это тот минимальный уровень дефектности, который на данном этапе позволяет реализовать технология изготовления МФПУ. <...> В данной работе сделана попытка выявить причины, обуславливающие подобного рода дефекты, с целью определения путей для их устраЛопухин Алексей Алексеевич, начальник участка измерений1. <...> Большой объем изготовленных за несколько лет матричных фоточувствительных элементов (МФЧЭ) позволил собрать статистические данные, ставшие основой работы. <...> Предмет исследования Исследованы параметры МФЧЭ с девяти слитков антимонида индия, характеризующихся двумя значениями концентраций основных носителей (с двух сторон слитка), плотностью дислокаций и средним значением диффузионной длины. <...> Напряжение пробоя В процессе изготовления МФЧЭ контроль вольт-амперных характеристик <...>