44 Прикладная физика, 2015, № 1 Фотоэлектроника УДК 538.935 Использование двумерной модели для описания диффузии носителей заряда в фоточувствительном слое матричных фотоприемников на основе HgCdTe А. В. <...> Вишняков, В. А. Стучинский, Д. В. Брунев, А. В. Зверев, С. А. Дворецкий Предложена двумерная диффузионная модель для анализа диффузии фотогенерированных носителей заряда в фоточувствительном слое матричных ИК-фотоприемников на основе материала HgCdTe с фотодиодной матрицей, выполненной по планарной технологии без изоляции пикселей канавками. <...> Дан анализ погрешностей модели при описании результатов экспериментов по сканированию локального пятна засветки выбранным фотодиодом матрицы. <...> Показано, что предложенная модель дает хорошее описание результатов сканирования при реалистичном значении локальной длины диффузии носителей заряда в области под фотодиодами матрицы. <...> Введение Известно, что формирование фотосигнала в матричных фотоприемных устройствах (ФПУ) фотодиодного типа осуществляется посредством диффузии неосновных фотогенерированных носителей заряда (ФНЗ) к фотодиодам (ФД) устройства. <...> Поэтому приборные характеристики и показатели качества таких ФПУ существенно определяются параметрами указанного процесса диффузии. <...> Особый интерес здесь представляет длина диффузии ФНЗ в объеме фоточувствительного материала фотоприемника (или объемная длина диффузии) ld как параметр, величина которого не зависит от устройства фотодиодной матрицы (ФДМ), а определяется только лишь временем жизни ФНЗ по отношению к их объемной рекомбинации в полупроводнике. <...> Отсасывающее же действие фотодиодов дополнительно ограничивает время жизни ФНЗ в фоточувствительной пленке (ФП) ФПУ, в реВишняков Алексей Витальевич, научный сотрудник. <...> E-mail: stuchin@isp.nsc.ru Статья поступила в редакцию 20 декабря 2014 г. © Вишняков А. В., Стучинский В. А., Брунев Д. В., Зверев А. В., Дворецкий С. А., 2015 зультате чего длина, на которую в латеральном направлении <...>