70 УДК 621.383 Уменьшение времени восстановления чувствительности в p–i–n-фотодиодах на основе InGaAs/InP после воздействия мощных импульсных фоновых засветок Д. С. Андреев, В. С. Варганова, П. Е. Хакуашев, И. В. Чинарева, А. И. Дирочка Предложена топология фотодиода, обеспечивающая малые времена восстановления чувствительности. <...> В предложенной топологии фоточувствительная площадка окружена "карманом", устраняющим медленные диффузионные составляющие в периферийном фотоотклике. <...> Приведены экспериментальные результаты, подтверждающие уменьшение времени восстановления чувствительности. <...> Введение В настоящее время велика потребность в быстродействующих и малошумящих InGaAs-фотодетекторах для систем лазерной дальнометрии, работающих в диапазоне длин волн 0,9—1,7 мкм [1—3]. <...> Собственное быстродействие p–i–n-фотодиодов достаточно мало — (0,1—1) нс и ограничивается временем пролета фотоносителей через область пространственного заряда. <...> Для систем лазерной дальнометрии значения длительности импульса излучения обычно превышают 5 нс, поэтому быстродействие p–i–n-фотодиодов вполне удовлетворяет требованиям системы [4, 5]. <...> Следует отметить, что указанное выше быстродействие фотодиодов соблюдается при освещении т. н. фоточувствительной площадки — области с достаточно высокой напряженностью электрического поля. <...> Однако в системах лазерной дальнометрии достаточно часто оптическое пятно может попасть и на периферию фотодиода, если имеется мощная фоновая засветка от стартового Андреев Дмитрий Сергеевич, ведущий инженер-технолог1. <...> Прикладная физика, 2015, № 6 импульса или мощная фоновая засветка от близких объектов. <...> В этом случае быстродействие фотодиодов может существенно ухудшиться (на несколько порядков) в результате диффузии фотодырок [4, 6] из необедненной части n-области вокруг области пространственного заряда. <...> Указанные выше проблемы приводят к ухудшению одного из важных параметров системы, а именно, времени <...>