Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 634558)
Контекстум
.
Естественные и технические науки  / №6 (96) 2016

ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ХИМИЧЕСКОГО ФОРМИРОВАНИЯ ФИНИШНЫХ ПОКРЫТИЙ ПОД ПАЙКУ (100,00 руб.)

0   0
Первый авторРощин
АвторыПетухов И.Н., Сеньченко К.С., Шилина Т.В., Рощина А.В.
Страниц5
ID430502
АннотацияВ статье рассмотрены особенности химического осаждения покрытий на алюминиевых контактных площадках интегральных схем. Показано применение метода инверсионной вольтамперометрии для определения эффективной концентрации ионов в электролитах при химическом осаждении. Определено влияние функциональных добавок в электролиты на дефектность формируемых покрытий.
ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ХИМИЧЕСКОГО ФОРМИРОВАНИЯ ФИНИШНЫХ ПОКРЫТИЙ ПОД ПАЙКУ / В.М. Рощин [и др.] // Естественные и технические науки .— 2016 .— №6 (96) .— С. 7-11 .— URL: https://rucont.ru/efd/430502 (дата обращения: 18.04.2024)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

Естественные и технические науки, № 6, 2016 ЕСТЕСТВЕННЫЕ НАУКИ пЛПЛ˜ВТНЛВ М‡ЫНЛ Электрохимия Рощин В.М., доктор технических наук, профессор Петухов И.Н., старший преподаватель Сеньченко К.С., аспирант Шилина Т.В., аспирант Рощина А.В. <...> ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ХИМИЧЕСКОГО ФОРМИРОВАНИЯ ФИНИШНЫХ ПОКРЫТИЙ ПОД ПАЙКУ В статье рассмотрены особенности химического осаждения покрытий на алюминиевых контактных площадках интегральных схем. <...> Показано применение метода инверсионной вольтамперометрии для определения эффективной концентрации ионов в электролитах при химическом осаждении. <...> Определено влияние функциональных добавок в электролиты на дефектность формируемых покрытий. <...> На сегодняшний день для обеспечения более высокого уровня функциональности и повышения быстродействия микросборок альтернативой уменьшению топологических размеров элементов интегральных схем (ИС) является кристальная интеграция, позволяющая при существующей элементной базе создавать функциональные многокристальные модули, которые могут включать регистрирующие, обрабатывающие, передающие чипы. <...> Одним из важных технологических этапов создания 3D-интегрированных структур являются технологии монтажа кристалл на кристалл и «перевернутого кристалла» (flip-chip), позволяющие без применения операций навесной сварки проволочных выводов непосредственно коммутировать элементы микросборки между собой с применением столбиковых выводов и объемной металлизации (TSV) [1]. <...> В процессе непосредственного flip-chip соединения кристаллов ИС по алюминиевым контактным площадкам трудно обеспечить требуемое качество контакта (механическое и электрическое) из-за малой толщины пленки алюминия и наличия поверхностного оксида. <...> Для снижения возникающих при этом температурных и механических нагрузок на функцио11 Естественные и технические науки, № 6, 2 016 нальные части ИС требуется тщательный контроль параметров технологии фор мирования тивация <...>