ФИЗИКА УДК 532.2 РАСЧЕТ ПЛОТНОСТИ ЭЛЕКТРОННЫХ СОСТОЯНИЙ НАНОРАЗМЕРНЫХ ОБЛАСТЕЙ РАЗУПОРЯДОЧЕНИЯ, СОЗДАННЫХ ПРОТОНАМИ В КРЕМНИИ © 2011 г. Н.М. Богатов, Л.Р. Григорьян, М.С. Коваленко Кубанский государственный университет, ул. <...> Ставропольская, 149, г. Краснодар, 355040, rector@kubsu.ru Kuban State University, Stavropolskaya St., 149, Krasnodar, 355040, rector@kubsu.ru Построена модель и рассчитаны численно параметры областей разупорядочения, образующихся в кремнии под действием протонов. <...> Получены зависимости среднего радиуса и числа неаннигилировавших вакансий в области разупорядочения от энергии протонов. <...> Расчеты показывают, что области разупорядочения являются наномасштабными объектами со средним радиусом менее 100 нм. <...> Рассчитано распределение плотности электронных состояний в запрещенной зоне кремния для различных значений параметров областей разупорядочения. <...> Показано, что основной вклад дают энергетические уровни вакансионного происхождения, хаотически распределенные в пределах области разупорядочения. <...> Облучение потоком ионизирующих частиц – один из методов изменения свойств материалов и структур, позволяющий осуществлять локальное воздействие на кремний и изменять его свойства в наноразмерных областях. <...> Радиационное дефектообразование традиционно рассматривается как причина деградации параметров кремния и приборов на его основе. <...> С научной и практической точек зрения представляет интерес поиск положительных сторон в этом процессе: обнаружение новых свойств, обусловленных радиационными дефектами, создание материалов и приборов, использующих эти свойства. <...> Наиболее полно изучены свойства точечных дефектов и их комплексов, создающих искажения кристаллического поля размером несколько периодов решётки. <...> С этой точки зрения структура переменного состава с наноразмерными областями разупорядочения является материалом, обладающим новыми свойствами, перспективным для создания элементов оптоэлектроники [1]. <...> № 5 Образование областей <...>