-8::621.315.592 ПРОГНОЗИРОВАНИЕ ПОЛОЖЕНИЯ УРОВНЯ ФЕРМИ В ПОЛУПРОВОДНИКЕ ЧУВСТВИТЕЛЬНОГО СЛОЯ СЕНСОРА ГАЗА © 2011 г. А.Г. Захаров, С.А. Богданов, А.А. Лытюк Таганрогский технологический институт Южного федерального университета, пер. <...> Некрасовский, 44, г. Таганрог, Ростовская область, ГСП-17А, 347928 Taganrog Technological Institute of Southern Federal University, Nekrasovskiy Lane, 44, Taganrog, GSP-17A, Rostov Region, 347928 Представлена модель расчета положения уровня Ферми относительно разрешенных зон в полупроводнике чувствительного слоя кондуктометрического сенсора в равновесном состоянии. <...> Предложенная модель позволяет учесть присутствие в полупроводнике многозарядных дефектов кристаллической решетки, а также вырождение носителей заряда. <...> Описанный в работе алгоритм может быть использован с целью прогнозирования характеристик кондуктометрических сенсоров газа, в том числе газовой чувствительности, а также уточнения исходных данных при проектировании структур экстремальной электроники и оптимизации режимов их функционирования. <...> Ключевые слова: уровень Ферми, концентрация основной легирующей примеси, многозарядная примесь, абсолютная температура, большое каноническое распределение Гиббса, кондуктометрический сенсор газа. <...> Model for calculation of the equilibrium Fermi level in a sensitive layer of a semiconductor conductometric gas sensor is presented in the article. <...> The proposed algorithm can be used for prognostication of conductometric gas sensors characteristics (sensitivity, etc) and initial data correction for creating extreme electronics elements and optimization of their operation regimes. <...> Keywords: Fermi level, majority dopant concentration, multi-charged impurity, absolute temperature, grand canonical Gibbs distribution, conductometric gas sensor. <...> Исследования сорбционных процессов на границе раздела газовая среда – полупроводник сохраняют свою актуальность в настоящее время как с фундаментальной, так и с прикладной точек зрения [1]. <...> Моделирование электрофизических характеристик полупроводникового чувствительного слоя способно в значительной мере сократить объем натурных экспериментальных исследований в процессе создания полупроводниковых сенсоров газов и оптимизации <...>