Модель упругого резистора и новая формулировка закона Ома в концепции «снизу–вверх» Физическое образование в вузах. <...> Модель упругого резистора и новая формулировка закона Ома в концепции «снизу–вверх» Юрий Алексеевич Кругляк1 email: quantumnet@yandex.ua 2 , Наталья Ефимовна Кругляк2 1 Одесский государственный экологический университет, Одесса, Украина; Одесский национальный университет им. <...> И.И. Мечникова, Одесса, Украина; email: krtstudio@yandex.ua В рамках концепции «снизу–вверх» современной наноэлектроники рассматриваются модель упругого резистора, баллистический и диффузионный транспорт, моды проводимости. <...> Ключевые слова: наноэлектроника, молекулярная электроника, «снизу–вверх», электрический ток, упругий резистор, моды проводимости, закон Ома. <...> Введение Как показано в [1], ток порождается «подготовкой» двух контактов 1 и 2 с фермиевскими функциями f1 (E) и f2(E). <...> Отрицательному контакту 1 соответствует большее значение электрохимического потенциала, а положительному – меньшее. <...> Отрицательный контакт стремится передать электроны в канал проводимости, а положительный стремится извлечь электроны из канала проводимости. <...> Это справедливо для любых проводников – и наноразмерных и макроразмерных. <...> Настоящее сообщение посвящено модели упругого резистора в качестве полезной идеализации, обеспечивающей физически корректное объяснение работы наноразмерных проводников и открывающей возможности для новой интерпретации работы макроразмерных устройств. <...> Развитие концепции упругого резистора [7–10] привело к созданию единой картины транспортных явлений в электронных устройствах любой размерности. <...> В модели упругого резистора электроны проскакивают канал проводимости от истокового контакта S (Source) к стоковому D (Drain) упруго, без потери или приобретения энергии (рис. <...> Согласно (2), функция проводимости G(E) для упругого резистора, будучи усредненной по интервалу ~ ± 2 kT , включающему значение электрохимического потенциала <...>