МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ УДК 53.09 ГЕТЕрОСТрУКТУра SI/ SI1–X GEX КаК ПрИЕМНИК ИК ИЗЛУЧЕНИЯ П.С. <...> СЕРЕБРЕННИКОВ, доц� МГУЛ, канд� физ�-мат� наук(1) serebrennikov@mgul�ac�ru, physp37smat@gmail�com ФГБОУ ВО «Московский государственный университет леса» 141005, Московская обл., г. Мытищи-5, ул. <...> Найдена функция Грина диффузионного движения к гетерогранице Si/ Si1–x горячей дырки фотогенерированной в области сплава Si1–x оптического фонона, в результате чего дырка теряет энергию, не может преодолеть потенциальный барьер на гетерогранице и не дает вклада в ток. <...> Вероятность достижения фотодыркой гетерограницы зависит от места ее генерации, что, в свою очередь, определяется коэффициентом поглощения излучения и способом его введения: через подложку или при прямом падении излучения на область Si1–x Получены основные характеристики ИК приемника на основе гетероструктуры Si/Si1–x Gex Рассмотрены оба крайних случая: зеркальное отражение горячей дырки от границы и случай термализации горячей дырки на границе. <...> В таблице приведено значение квантовой эффективности для разных длин области Si1–x Gex бов введения излучения и разных граничных условий на границе области Si1–x Gex . <...> Квантовая эффективность зависит также от условия на границе Si1–x Gex Длинноволновая граница приемника зависит как от мольной доли Ge в сплаве (х), что определяет величину разрыва верха валентной зоны при переходе от кремния к Si1–x Gex верха валентной зоны при переходе от кремния к сплаву будет 0,2 э-в и при уровне Ферми 0,15 э-в потенциальный барьер для дырок получается равным 0,05 э-в. <...> При температуре 77 °К шумовые свойства определяются флуктуациями темнового тока через гетеропереход. <...> В таблице приведены рассчитанные характеристики ИК приемника на основе гетероперехода Si/ Si1–x , так и от уровня Ферми в сплаве. <...> При мольной доле Geх Ключевые слова: метод функции Грина, коэффициент поглощения ИК излучения, длина области сплава кремний–германий, квантовая эффективность, длина свободного <...>