УДК 621.383+539.21 МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ПОЛУЧЕНИЯ СПЕЦИАЛЬНЫХ НАНОСТРУКТУРНЫХ СЛОЕВ В ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУРАХ ДЛЯ УТОНЧЕННЫХ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ 1,2ВАХРУШЕВ А. <...> Представлена математическая модель получения специальных наноструктурных слоев в эпитаксиальных структурах для утонченных фотоэлектрических преобразователей (ФЭП). <...> Приведены результаты компьютерного моделирования процессов получения наноструктурных объектов в эпитаксиальных структурах для утонченных ФЭП. <...> В качестве исходных образующих элементов рассматривались атомы кремния, галлия, золота и индия. <...> Продемонстрированы разные механизмы образования специальных наноструктур в эпитаксиальных структурах для утонченных фотоэлектрических преобразователей. <...> ВВЕДЕНИЕ В последнее время в литературе появляется все больше информации о применении наноструктурных элементов для повышения энергомассовых характеристик фотоэлектрических преобразователей (ФЭП). <...> Учеными и инженерами Орегонского государственного университета США предложена новая технология, позволяющая покрывать тонкопленочными наноструктурами поверхности различных материалов [1], что можно использовать для изменения оптических свойств этих материалов, в частности, для уменьшения коэффициента отражения материала через нанесение на поверхность наночастиц (рис. <...> Поверхность ФЭП с нанесенными наночастицами [1] Процесс нанесения проводится в специальном химическом микрореакторе, где на поверхность материала осаждается тонкая пленка из наноэлементов в виде крошечных пирамид. <...> Том 16, №3 Значительное развитие получили солнечные элементы из сложных полупроводниковых соединений [2 – 5], коэффициент полезного действия (КПД) которых превосходит теоретический КПД простых кремниевых солнечных элементов (до 23 %). <...> Последнее достижение – солнечный элемент на основе GaP, GaAs и InGaAsN представляет четырехслойной пирог: верхний состоит из сплава индий-фосфид галлия <...>