УДК 538.958 ЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ НАНОСТРУКТУР Ge В ПОРИСТОМ Al2O3 1,2ВАЛЕЕВ Р. <...> Исследованы люминесцентные свойства наноструктур германия, полученных методом термического осаждения порошка материала на пористые пленки анодного оксида алюминия с различным диаметром пор. <...> Для объяснения возможной природы люминесценции были получены Оже- и рентгеноэлектронные спектры образцов, которые показали, что часть германия, осажденного в пористый оксид алюминия, окисляется, что приводит формированию дефектных центров Ge(II), являющихся центрами люминесценции. <...> В связи с этим становится актуальной задача исследования оптических свойств материалов совместимых со стандартной КМОП технологией. <...> Германий, использующийся с середины XX века в качестве одного из основных материалов полупроводниковой электроники, как и кремний, является непрямозонным полупроводником и, следовательно, не обладает эффективной рекомбинационной люминесценцией, поэтому его оптические приложения сводились к использованию в качестве пассивных элементов ИК-оптики, отражающего покрытия оптоволокна, подложек солнечных батарей на основе А3В5 [2]. <...> Однако небольшая разница между прямыми и непрямыми переходами (0,34 эВ) оставляет возможность на повышение вероятности прямых переходов. <...> Считается, что существует три основных направления для достижения этой цели – квантовое ограничение (создание квантовых ям и точек), выращивание напряженных слоев, сильное легирование [3]. <...> По всем трем направлениям ведутся активные работы, начиная с 90-х годов прошлого века. <...> И одним из перспективных подходов считается включение нанокристаллитов германия в оксидные диэлектрические матрицы. <...> [4], в которой впервые наблюдалась видимая люминесценция сферических кристаллитов германия размером 6 – 8 нм в кварце, в качестве матрицы использовались SiO2, HfO2, Al2O3. <...> При этом механизм возникновения фотолюминесценции обсуждается между квантовым ограничением электронно-дырочных пар <...>