УДК 537.533:543.42 М.А. Лазов*, Н.В. Алов**, А.А. Ищенко* ОПРЕДЕЛЕНИЕ СТЕХИОМЕТРИИ И ТОЛЩИНЫ ИОННО-СИНТЕЗИРОВАННЫХ ОКСИДНЫХ НАНОСТРУКТУР ВОЛЬФРАМА МЕТОДОМ РЕНТГЕНОВСКОЙ ФОТОЭЛЕКТРОННОЙ СПЕКТРОСКОПИИ (*Московский государственный университет тонких химических технологий им. <...> М.В. Ломоносова) e-mail: aischenko@yasenevo.ru При окислении вольфрама ионами O2 +, анализ рентгеновских фотоэлектронных спектров показал наличие оксидных форм W(IV), W(V), W(VI), которые были заданы в виде гомогенных слоев. <...> Проведена деконволюция серии спектров окисления вольфрама с учетом линии малой интенсивности W 5p3/2 для повышения качества аппроксимации сложных спектров линии W 4f. <...> Определены дозовые зависимости концентраций оксидов, вычислены толщины оксидных слоев, средняя степень окисления вольфрама и стехиометрия в окисленном слое и на всей анализируемой толщине образца. <...> Количество оксидов и толщина соответствующих слоев монотонно увеличивалось от нуля при увеличении дозы облучения ионами O2 + c энергией 3 кэВ. <...> Ключевые слова: рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия, оксидные наноструктуры вольфрама, тонкие плѐнки, ионно-лучевая обработка поверхности ВВЕДЕНИЕ Тонкие оксидные пленки вольфрама находят применение в таких физико-химических приложениях, как гетерогенный катализ, электрохромные устройства, газовые сенсоры. <...> Ионное облучение используют для послойного анализа поверхностных слоев и для модифицирования поверхности твердого тела. <...> Так, установлено, что в результате ионного облучения поверхности металлов и оксидов происходит окисление или восстановление поверхности [6-9]. <...> Целью настоящей работы является определение стехиометрии и толщины оксидных наноструктур вольфрама, синтезированных в результате облучения поверхности металла ионами кислорода в вакууме, по данным рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (РФЭС). <...> ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ЧАСТЬ вольфрама ионами O2 Облучение поверхности металлического + и определение состава <...>