СВЕТОДИОДЫ, СВЕТОДИОДНЫЕ КЛАСТЕРЫ И СБОРКИ Андрей Туркин Введение О светодиодах за последние десять лет Гетероструктуры GaN от Plessey Semiconductors — технология, продукты, перспективы ➥ В статье рассматривается технология выращивания гетероструктур на основе нитрида галлия и его твердых растворов на кремниевых подложках, отрабатываемая в последнее время компанией Plessey Semiconductor Ltd. <...> Приведен краткий обзор светодиодных кристаллов на основе указанных гетероструктур, недавно представленных компанией на рынок, а также описывается новое направлениt работы, которое уже в ближайшем будущем может вывести ее в лидеры среди производителей компонентов на основе гетроструктур нитрида галлия и его твердых растворов. вышло достаточно много публикаций, что, в основном, обусловлено возросшим интересом к данным компонентам как к источникам света. <...> Интерес этот, главным образом, объясняется бурным развитием физики и технологии светодиодов (СД) — важнейшего направления в современной полупроводниковой электронике и оптоэлектронике, нашедшего широкое применение в промышленности и обещающего в совсем недалеком будущем покорить новые отрасли. <...> Особенно стоит отметить период с середины 90-х годов ХХ в., когда в физике и технике полупроводников произошел прорыв благодаря созданию гетероструктур на основе нитрида галлия (GaN) и его твердых растворов [1]. <...> Эффективные СД, разработанные на основе этих материалов, перекрыли коротковолновую часть видимого спектра — от ультрафиолетовой до желтой области [1, 2]. <...> Как следствие, СД стали перспективными источниками света не только для сигнализации, отображения и передачи информации, но и для общего освещения. <...> Технологии выращивания светодиодных GaN-гетероструктур В начале 90-х годов ХХ в. японские исследователи создали первый СД на основе GaN-структуры с p-n-переходом, выращенной на сапфировой подложке. <...> Буквально через год сотрудники японской компании Nichia Chemical во главе с Шуджи Накамурой <...>