Естественные и технические науки, № 5, 2016 Технология приборостроения Жилинский А.П., доктор физико-математических наук, профессор Тимошина М.И., кандидат технических наук, доцент Акимов Е.В., аспирант (Московский технический университет связи и информатики) Кочура А.В., кандидат физико-математических наук, доцент Юго-Западного государственного университета ВЛИЯНИЕ ПОСТОЯННОГО МАГНИТНОГО ПОЛЯ НА СВОЙСТВА КРЕМНИЯ Исследуется влияние постоянного магнитного поля (0,17 Т) на микротвердость, изучение кинетики спада фотопроводимости и электропроводимости в кристаллах кремния. <...> Одной из актуальных задач современной электроники является создание надежных и прогнозируемых систем, которые могли бы работать в экстремальных условиях: в широком диапазоне температур, под воздействием радиации, атмосферы, магнитного поля и т.п. <...> Влияние внешних факторов стимулирует изменения электрофизических и оптических характеристик кристаллов, в том числе кремния (Si), а также приборов, изготовленных на их основе. <...> Прогресс в технологии производства микроэлектронных приборов позволил вплотную приблизиться к физическим границам кристаллического кремния. <...> Одним из возможных путей дальнейшего развития элементной базы современной электроники является использование новых эффектов, наблюдаемых в кремнии при его легировании ионами магнитных примесей. <...> Хотя кремний является парамагнитным материалом, он не уступает лидирующие позиции в современной микроэлектронике. <...> При легировании кремния магнитными примесями, создающими глубокие энергетические уровни в его запрещенной зоне, его электрофизические и кинетические свойства существенно меняются. <...> Практически кремний становится новым материалом с улучшенными свойствами. <...> Использование кремния, легированного такими примесями, в сочетании с хорошо разработанной планарной технологией делает его перспективным материалом для нужд современной магнетоэлектроники [1 <...>