Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 634932)
Контекстум
Руконтекст антиплагиат система
Актуальные проблемы современной науки  / №2 (87) 2016

ВЛИЯНИЕ РАДИОАКТИВНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ НА КОМПОНЕНТЫ EEPROM. МЕТОДЫ ЗАЩИТЫ ДАННЫХ (100,00 руб.)

0   0
Первый авторХалирбагинов
Страниц6
ID396072
АннотацияЦифровая память является одним из основных элементов современных вычислительных систем. Сегодня буквально в каждом приборе имеется миниатюрная микросхема, на которой обязательно присутствует тот или иной цифровой носитель и потому неудивительно, что современная микроэлектроника не обошла стороной и военно-космическую отрасль. Однако требования, предъявляемые к микросхемам военного и космического назначения значительно отличаются от требований к приборам, находящимся у нас в квартирах и даже за окном. Высокая температура и воздействие радиации – вот факторы, которым должна противостоять микросхема военного назначения. С развитием полупроводниковых технологий, когда постоянно уменьшаются размеры и напряжение питания интегральных схем (ИС), а тактовая частота растет, задача повышения радиационной стойкости становится очень важной. Ее решение требует принятия мер на всех уровнях разработки ИС: синтеза и верификации, трассировки шин питания, конструирования библиотечных элементов схем, технологического процесса изготовления. Однако эти методы не могут привести к 100% вероятности безошибочного хранения и считывания информации, а значит, требуют дополнительных средств обнаружения дефектов и сбоев. Методом повышения отказоустойчивости устройств памяти является использование помехоустойчивых кодов. Тема данной статьи – исследование влияния радиоактивного излучения на энергонезависимую память и методы защиты данных. Одним из методов является создание блока коррекции ошибок на основе кода Хэмминга, о нем речь пойдет во втором разделе.
Халирбагинов, Р.И. ВЛИЯНИЕ РАДИОАКТИВНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ НА КОМПОНЕНТЫ EEPROM. МЕТОДЫ ЗАЩИТЫ ДАННЫХ / Р.И. Халирбагинов // Актуальные проблемы современной науки .— 2016 .— №2 (87) .— С. 336-341 .— URL: https://rucont.ru/efd/396072 (дата обращения: 28.04.2024)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

Актуальные проблемы современной науки, № 2, 2016 Электроника Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника приборы на квантовых эффектах Халирбагинов Р.И. <...> МЕТОДЫ ЗАЩИТЫ ДАННЫХ Цифровая память является одним из основных элементов современных вычислительных систем. <...> Сегодня буквально в каждом приборе имеется миниатюрная микросхема, на которой обязательно присутствует тот или иной цифровой носитель и потому неудивительно, что современная микроэлектроника не обошла стороной и военно-космическую отрасль. <...> Однако требования, предъявляемые к микросхемам военного и космического назначения значительно отличаются от требований к приборам, находящимся у нас в квартирах и даже за окном. <...> Высокая температура и воздействие радиации – вот факторы, которым должна противостоять микросхема военного назначения. <...> С развитием полупроводниковых технологий, когда постоянно уменьшаются размеры и напряжение питания интегральных схем (ИС), а тактовая частота растет, задача повышения радиационной стойкости становится очень важной. <...> Ее решение требует принятия мер на всех уровнях разработки ИС: синтеза и верификации, трассировки шин питания, конструирования библиотечных элементов схем, технологического процесса изготовления. <...> Методом повышения отказоустойчивости устройств памяти является использование помехоустойчивых кодов. <...> Тема данной статьи – исследование влияния радиоактивного излучения на энергонезависимую память и методы защиты данных. <...> Одним из методов является создание блока коррекции ошибок на основе кода Хэмминга, о нем речь пойдет во втором разделе. <...> ВЛИЯНИЕ РАДИОАКТИВНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ После замены n-МОП транзисторной технологии КМОП технологией, по сей день программируемая энергонезависимая память выполняется в основном на базе КМОП. <...> Влияние нейтронного излучения в первую очередь отражается на изменении времени жизни неосновных носителей заряда, что в принципе <...>