Силовая электроника, № 6’2015 ляет снизить динамические потери и градиент температур для образцов А и В. <...> Во-вторых, транзистор C2M MOSFET (10 A, 1200 В) демонстрирует меньшую разность температур корпуса по сравнению с MOSFET Gen-I (10 А, 1200 В) при тех же условиях испытаний. <...> В-третьих, параллельное соединение SiC MOSFET при использовании низкого значения Rg, как правило, можно выполнять непосредственно, без добавления дополнительного контура балансировки. <...> 11 показаны формы сигналов переключения для двух C2M SiC MOSFET при f = 100 кГц и сопротивлении затвора 41 Ом и 5 Ом соответственно. <...> 11а объясняется более высокой разностью температур кристаллов. <...> Заключение На основании приведенного анализа параллельной работы SiC MOSFET можно сделать следующие выводы: • Rds(on) и Vth — два основных параметра, определяющих статическое и динамическое распределение токов параллельных MOSFET. <...> • Использование высокого напряжения управления затвором позволяет уменьшить потери в проводящем режиме. <...> • Уменьшение сопротивления затвора может улучшить динамическое распределение токов и снизить разницу потерь переключения. <...> • C2M SiC MOSFET лучше подходят для параллельного включения, чем Gen-I SiC MOSFET с таким же номинальным током. <...> При проведении описанных выше испытаний использовалась печатная плата с симметричными трассами для подключения параллельных SiC MOSFET, что позволило свести к минимуму паразитную индуктивность соединительных цепей. <...> Однако в ряде случаев очень трудно обеспечить симметричную топологию соединений, при этом цепи подключения параллельных транзисторов будут иметь различные значения распределенной индуктивности. <...> Было бы интересно исследовать, как это Силовая элементная база влияет на поведение SiC MOSFET в процессе переключения, этот вопрос является предметом дальнейшей работы. <...> Current Sharing of Paralleled Power MOSFETs at PWM Operation // Proc. on the 37th IEEE Power Electronics specialists. <...> Current Redistribution in Multi-chip IGBT Modules Under Various Gate Drive Conditions // Proceedings of the Power Electronics and Variable Speed Drives. <...> Performance comparison of 1200V 100A SiC <...>