При этом стоит отметить некоторые различия: • Диапазон изменения напряжения на затворе Vg составляет от –6 до 22 В, рекомендуемые значения — 0 и 18 В. <...> Это больше, чем 15 В — типовая величина Vg, используемая для IGBT. <...> Напряжение 18 В — это минимум, требуемый для достижения номинального сопротивления канала 80 мОм. <...> Более высокое напряжение на затворе необходимо, чтобы «компенсировать» меньшую подвижность носителей в SiC-структуре. <...> Запирание SiC-транзисторов сигналом ниже –6 В вызывает большой сдвиг порогового напряжения Vth. <...> • Поскольку внутренние диоды SiC-MOSFET имеют характеристики обратного восстановления, сравнимые с дискретными SiC-SBD, отпадает необходимость в использовании внешних антипараллельных диодов, за исключением тех случаев, когда это действительно необходимо. <...> Также можно исключить применение последовательного диода для предотвращения протекания тока через внутренний диод, что способствует снижению стоимости системы. <...> • Поскольку ROHM SiC-MOSFET имеют очень надежные внутренние диоды, они могут быть использованы как двунаправленные коммутаторы. <...> В этом случае большое прямое напряжение внутреннего диода «шунтируется», поскольку оно определяется падением сигнала на сопротивлении «сток–исток», зависящим от Vgs. <...> ROHM SiCMOSFET — планы на будущее Фирма ROHM Semiconductor предлагает широкую линейку SiCMOSFET с рабочим напряжением 400–1700 В в диапазоне токов 10–63 А. <...> Приборы доступны в корпусах с выводами для сквозного монтажа, а также в виде кристаллов. <...> Первые два компонента линейки SiC-MOSFET (SCT2080KE и SCH2080KE) серийно производятся с июля 2013 г. Оба имеют рабочее напряжение 1200 В и сопротивление канала 80 мОм. <...> SCH2080KE содержит кристалл SCT2080KE и дискретный антипараллельный SiC-SBD в одном корпусе. <...> Такое решение экономит место на печатной плате, упрощает ее трассировку и стоит меньше, чем эквивалентные дискретные устройства. <...> Первый на рынке SiC-MOSFET SCH2080 оптимально подходит для приложений, в которых важны малые габариты и вес, например для электроприводов <...>