Силовая электроника, № 6’2015 Силовая элементная база Динамические и статические характеристики SiC MOSFET при параллельном включении Нюансы, связанные с параллельной работой высокоскоростных приборов SiC MOSFET, по сравнению с кремниевыми ключами исследованы очень слабо. <...> В статье рассматриваются особенности параллельного включения карбидокремниевых (SiC) полевых транзисторов. <...> Изучаются параметры, влияющие на статическое и динамическое распределение токов данных устройств, исследована зависимость этих параметров от температуры полупроводника. <...> Разность температур параллельных модулей MOSFET была экспериментально измерена в преобразователе SEPIC при различных сопротивлениях резистора затвора и разных частотах коммутации. <...> Полученные результаты показывают, что токи и температуры могут быть хорошо сбалансированы для последнего поколения SiC MOSFET при низком сопротивлении затвора. <...> Ганьджао Ванг (Gangyao Wang) Джон Моокен (John Mookken) Джулиус Рик (Julius Rice) Марчело Шупбах (Marcelo Schupbach) Перевод: Евгений Карташов Андрей Лебедев cree@macrogroup.ru Введение Параллельное включение кремниевых MOSFETи IGBT-модулей является обычной практикой и хорошо изучено в различных приложениях [1–3]. <...> Поскольку карбидокремниевые транзисторы являются сравнительно новыми и используются, в основном, в маломощных схемах, у разработчиков есть большое желание включить их в параллель для повышения мощности. <...> По сравнению с коммерчески доступными модулями SiC MOSFET [4], можно отметить следующие преимущества параллельного использования дискретных приборов: • Тепло, выделяемое несколькими параллельными дискретными приборами, может быть более равномерно распределено по радиатору. <...> • Для наращивания мощности можно включить в параллель два или более модулей, в зависимости от конкретного применения. <...> • Параллельное соединение является экономически эффективным решением, поскольку стоимость набора дискретных серийных компонентов может быть ниже, чем цена <...>